A 5 GHz fully integrated VCO in a SiGe bipolar technology

Kyranas, A.; Papananos, Y.

doi:10.1109/iscas.2000.857396

Cited by 5 publications

(2 citation statements)

References 6 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The subject of VCO design has been treated extensively in the literature. In recent research works the feasibility of integrating VCOs onto silicon has been treated, demonstrating the various problems towards VCO integration [8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22]. In this paper the passive components used in integrated VCOs are presented from the circuit designer's perspective.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Passive On‐Chip Components for Fully Integrated Silicon RF VCOs

Kyranas

Papananos

2001

Active and Passive Electronic Components

View full text Add to dashboard Cite

In this work integrated passive devices used in RF VCOs are presented. The operation of on-chip inductors and variable capacitors is outlined along with simple electrical equivalent circuits suitable for hand calculations. Design examples of passive devices operating at 5 and 6 GHz in a commercial HBT BiCMOS process are also presented. The parallel resonator quality factor is computed as a function of inductor L capacitor C and their respective losses R SL and R SC .

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Passive On‐Chip Components for Fully Integrated Silicon RF VCOs

Kyranas

Papananos

2001

Active and Passive Electronic Components

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Στη παράγραφο 4.2 γίνεται αναφορά στην ακριβή πρόβλεψη της μαγνη τικής σύζευξης μεταξύ δύο γειτονικών πηνίων, στη προσπάθεια αντιμετώπισης του προβλήματος της βέλτιστης κατανομής της επιφάνειας του ολοκληρωμένου κυκλώματος. Σε σύγχρονες σχεδιάσεις RF κυκλωμάτων, όπως αυτές που πα ρουσιάζονται στα [72], [51], [50], [52], [53] και [54], συνυπάρχουν πολλές και διαφορετικού μεγέθους αυτεπαγωγές. Τα μέχρι σήμερα (τέλη 1999) πρότυπα εργαλεία βιομηχανικής σχεδίασης O.K.…”

Section: σχεδίαση και βελτιστοποίηση ολοκληρωμένων πηνίωνunclassified

Μοντελοποίηση Ολοκληρωμένων Αυτεπαγωγών Σε Τεχνολογίες Πυριτίου Και Εφαρμογές Στη Σχεδίαση Μικροηλεκτρονικών Κυκλωμάτων Υψηλών Συχνοτήτων

Κουτσογιαννόπουλος¹

View full text Add to dashboard Cite

Στη παρούσα διατριβή παρουσιάζεται και αναλύεται μία νέα και αποτε λεσματική τεχνική μοντελοποίησης, καθώς επίσης και ένα νέο εργαλείο σχεδί ασης με υπολογιστή ολοκληρωμένων πηνίων και μετασχηματιστών σε τεχνολο γίες πυριτίου. Η προτεινόμενη τεχνική, η οποία είναι γενική και ανεξάρτητη από τις παραμέτρους της τεχνολογίας, στοχεύει στην ορθή πρόβλεψη της συ μπεριφοράς παράγοντας μοντέλα πηνίων που απαρτίζονται από διακριτά στοι χεία και τα οποία εύκολα προσαρμόζονται στη σύγχρονη αλυσίδα σχεδίασης ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (O.K.) σε ραδιοσυχνότητες (RF). Τα παραγόμε να μοντέλα είναι συμβατά με τα διεθνή πρότυπα εργαλεία σχεδίασης O.K., ενώ η ακρίβεια τους αποδεικνύεται μέσα από συγκρίσεις μεταξύ μετρήσεων και προσομοιώσεων πολυάριθμων αυτεπαγωγικών δομών που κατασκευάστηκαν σε έξι διαφορετικά εργοστάσια κατασκευής O.K. τεχνολογίας πυριτίου. Στόχος της διατριβής είναι επίσης η παροχή κρίσιμων απαντήσεων σε καίρια ερωτήμα τα σχετικά με τη σύνθεση, τα όρια και τις μελλοντικές προσδοκίες για τις επι δόσεις των ολοκληρωμένων αυτεπαγωγικών δομών, χρησιμοποιώντας νομογραφήματα και αναλύοντας ποσοτικά οικογένειες ολοκληρωμένων σπειροειδών πηνίων. Η επιλογή παραδειγμάτων σχεδίασης RF O.K. φανερώνει το πως μπο ρούμε να οδηγηθούμε σε επιτυχή σχεδίαση και υλοποίηση ολοκληρωμένων κυ κλωμάτων με τη πρώτη προσπάθεια, όταν λαμβάνεται υπόψη κατά τη γεωμε τρική σχεδίαση η ζεύξη μεταξύ των ολοκληρωμένων πηνίων του κυκλώματος. Τέλος, παρουσιάζεται μια σύντομη πρόβλεψη για τις επιδόσεις και τις χρήσεις των ολοκληρωμένων αυτεπαγωγικών δομών στο άμεσο μέλλον.

show abstract