This letter reports a nitrogen ion implantation through silicon nitride passivation layer deposited on AlGaN/GaN on Si heterojunction structure. Employment of Si3N4 layer simplify HEMT fabrication process and helps to obtain high resistivity isolation due to the shift of implanted ions distribution towards the surface of semiconductor. This isolation process in combination with C-doped heterostructure buffer layer results in increased up to 650 V breakdown voltage.
Проведены расчетно-экспериментальные исследования характеристик мощного AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT. При помощи самосогласованного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитана зонная диаграмма исследуемого транзистора, получена концентрация электронов в канале. Экспериментально оценена подвижность электронов в канале транзистора, которая составила 9300 см2/В·с. На основе полученной проходной вольт-амперной характеристики транзистора рассчитаны параметры модельного дифференциального усилителя: малосигнальный коэффициент усиления и коэффициент нелинейных искажений 3-го порядка. Ключевые слова: AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT, нелинейные искажения, спейсерные слои.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.