Проведены расчетно-экспериментальные исследования характеристик мощного AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT. При помощи самосогласованного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитана зонная диаграмма исследуемого транзистора, получена концентрация электронов в канале. Экспериментально оценена подвижность электронов в канале транзистора, которая составила 9300 см2/В·с. На основе полученной проходной вольт-амперной характеристики транзистора рассчитаны параметры модельного дифференциального усилителя: малосигнальный коэффициент усиления и коэффициент нелинейных искажений 3-го порядка. Ключевые слова: AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT, нелинейные искажения, спейсерные слои.
The work is devoted to the results of modeling of the parameters of pHEMT structures based on the AlGaAs / InGaAs / GaAs compound using a self-consistent solution of the Schrödinger and Poisson equation. Based on numerical calculations, a method for analyzing nonlinear distortions of transfer I-V characteristics is proposed. The influence of the spacer layers and the degree of doping of the δ-layer on the nonlinearity of the I – V characteristic is estimated.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.