Приведены результаты анализа атомного состава, уровня легирования и подвижности дырок в эпитак-сиальных слоях CVD (chemical vapor deposition) алмаза при легировании бором. Показаны возможности однородного легирования бором в диапазоне от 5 · 10 17 до ∼ 10 20 ат/см 3 и δ-легирования с поверхностной концентрацией (0.3 − 5) · 10 13 ат/см 2 . Определены режимы прецизионного ионного травления структур, сформированы барьерные и омические контакты к слоям.
Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов ~1021 см-3 без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2·1019 см-3) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7·10-6 Ом·см2) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2·1020 см-3.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.