Атомный Состав И Электрофизические Характеристики Эпитаксиальных Слоев CVD Алмаза, Легированных Бором

Abstract

Приведены результаты анализа атомного состава, уровня легирования и подвижности дырок в эпитак-сиальных слоях CVD (chemical vapor deposition) алмаза при легировании бором. Показаны возможности однородного легирования бором в диапазоне от 5 · 10 17 до ∼ 10 20 ат/см 3 и δ-легирования с поверхностной концентрацией (0.3 − 5) · 10 13 ат/см 2 . Определены режимы прецизионного ионного травления структур, сформированы барьерные и омические контакты к слоям.