Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника

Abstract

Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов ~1021 см-3 без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2·1019 см-3) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7·10-6 Ом·см2) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2·1020 см-3.