Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов ~1021 см-3 без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2·1019 см-3) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7·10-6 Ом·см2) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2·1020 см-3.
In this work, the dependence of plasma-chemical
etching rate and the roughness of the surface of gallium arsenide
crater on chloropentafluoroethane (C2F5Cl) concentration in a
mixture with chlorine, forward power and etching duration were
studied. Characteristics of GaAs etching crater were studied
by white light interferometry and scanning electron microscopy.
It is shown that C2F5Cl addition in chlorine-containing inductively
coupled plasma led to a nonlinear change of gallium arsenide
etching rate with time which can be explained by passivation of
substrate surface at the initial stage by products of freon decay.
Along with this, characteristics of the etching profile of GaAs
are significantly improved. Forward power increase contributes
to development of roughness, while the etching rate increases
nonlinearly.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.