VonR. MATEJEC 1Vlit t9 triguren im Text (Eingega•gen am 9. Februar 1987) Im TeiI I der vorliegenden Arbei% werden 1VieBwer%e der Temperaturabh/~ngigkeit der elektrischen Leitf/ihigkeit yon verschiedenen Halogensilber-Einkristallen vor allem bei tiefen Temperaturen bis zu --183~ wiedergegeben und diskutiert. ]3el tiefen Temperaturen wird die elektrische Leiti/ihigkeit yon Halogensilberkristallen durcll StOrstellen hervorgerufen. Wenn man tiblicherweise den Loga-ri~bmus der gemessenen Leitfghigkeit gegen die reziproke absolute Temperatur auftr~igt, so erh~ilt man eine Reihe yon angen~ihert geradlinigen Teilkurven. Jede dieser Teilkurven ist einer bestimmte*t St6rstellertsorte zuzuordnen. Aus der durch Kurvenanalyse erhaltenen Neigung der Teilgeraden l~iBt sich die Aktivierungsenergie, aus der Lage der Teilgeraden die ]eweilige Konzentration der entsprechenden StSrstellensorte ablesen. Es war nun dutch umfangreiche Experimente mSglicb, eine der Teilgeraden der Aktivierung der Wanderung voIl Zwiscbengittersilberionen (Ago+), eine andere Aktivierung der Wanderung yon Silberionenlticken (Ag~) zuzuordnen, so dab Anderungen der Zwischengittersilberionen-und der Silberionenliickenkonzentration, wie sie durch photochemische Iqeaktionen oder durch Fremdstoffzus~ttze hervorgerufen werden und welche f/Jr viele Prozesse im ~ristall yon entscheidender Wichtigkeit sind, tiber die elektrische St6rleitung direkt festwerden gestellg k6nnen.Ferner war eine direkte 3/[essung der Aktivierungsenergien Itir die -~Vanderung der Zwischengittersilberionen und der Silberionenlticken sowie ein Vergleich mit Literaturdaten m6glich.
Es wird die ]3ildungs-und die Rekombinationskinetik der Frenkel-Fehlstellen (Zwischengittersilberionen Ag~ und Silberionenlticken Ag~) in reinen Halogen-silberkristalIen theoretisch untersucht. Ftir verschiedene Abktihlungs-ulld Er-w~rmungsgeschwindigkeiteR wird der Temperaturverlauf der Fehlstellenkonzentration berechnet. Die theoretischen Ergebnisse werdei1 mit Versuchsergebnissen verglichen.Einleitung Die vorliegende Arbeit liefert eine theoretische Erg~tnzung zu zwei vorangegangenen experimentellen Arbeiten [11, [21. In diesen Arbeiten wurden die an Halogensilberkristallen gemessenen Temperaturfunktionen der elektrischen Leitf~thigkeit gedeutet dureh die Hypothese, bei tieferen Temperaturen sei in der Praxis die Rekombination der Frenket-Defekte stark verzOgert, so dab man innerhalb der MeBzeit mit praktisch konstanter Fehlstellenkonzentration rechnen k6nne: Das Frenkel-Gleichgewicht sei bei tieferen Temperaturen praktisch eingefroren.Diese Hypothese wird bier durch die Berechnung der Temperatur-abh~tngigkeit der Bildungs-und der Rekombinationskinetik theoretiseh best~itigt.Die vorliegende Arbeit gibt allerdings nur ein Modell dieser Kinetik wieder, welches die tats~chlichen VerMltnisse n~therungsweise beschreibt. Am SchluB der Arbeit (s. Abschn. 8) werden einige noeh notwendigen Verbesserungen dieses N~therungs-Modelis angedeutet.Der EinfluB yon strukturellen FehMellen auf die Kinetik der Fehlstellen-Bildung und -Rekombination ist bei der Frenkel-Fehlordnung --im Gegensatz zur Sehottky-Fehlordnung --zu vernachl~tssigen (vgl. auch [3]).
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