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2014 Des dépôts de Ge dopés As sont obtenus par transport en phase vapeur par la réaction de disproportionnation : 2 GeI2 = Ge + GeI4. Ils sont de type n et leurs caractéristiques électriques : p, 03BCH, n sont étudiés en fonction de la température de substrat et du débit de AsH3. L'incorporation de As dans la couche est étudiée thermodynamiquement. Abstract.-As doped Ge layers were obtained by chemical vapour transport using a disproportiounation reaction 2 GeI2 = Ge + GeI4. They were n type and their electric parameters p, 03BCH, n were studied as a function of substrate temperature and flow rate of AsH3. The incorporation of As into the epilayer is studied thermodynamically.

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