1986
DOI: 10.1051/rphysap:01986002105029900
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Dopage par As de couches épitaxiées de Ge sur substrats Ge et GaAs

Abstract: 2014 Des dépôts de Ge dopés As sont obtenus par transport en phase vapeur par la réaction de disproportionnation : 2 GeI2 = Ge + GeI4. Ils sont de type n et leurs caractéristiques électriques : p, 03BCH, n sont étudiés en fonction de la température de substrat et du débit de AsH3. L'incorporation de As dans la couche est étudiée thermodynamiquement. Abstract.-As doped Ge layers were obtained by chemical vapour transport using a disproportiounation reaction 2 GeI2 = Ge + GeI4. They were n type and their electri… Show more

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