Dopage par As de couches épitaxiées de Ge sur substrats Ge et GaAs

Abstract

2014 Des dépôts de Ge dopés As sont obtenus par transport en phase vapeur par la réaction de disproportionnation : 2 GeI2 = Ge + GeI4. Ils sont de type n et leurs caractéristiques électriques : p, 03BCH, n sont étudiés en fonction de la température de substrat et du débit de AsH3. L'incorporation de As dans la couche est étudiée thermodynamiquement. Abstract.-As doped Ge layers were obtained by chemical vapour transport using a disproportiounation reaction 2 GeI2 = Ge + GeI4. They were n type and their electric parameters p, 03BCH, n were studied as a function of substrate temperature and flow rate of AsH3. The incorporation of As into the epilayer is studied thermodynamically.