The cation distribution is investigated in polycrystalline Ga,,Jn-,l' wit,h r 7 0.5 and 0.8 by means of diffuse X-ray scattering. For the evaluation of t,he measurements a fitting proccdure is applied. The r e s u h show a strong tendency towards segregation in the case of Gao.5Ino.sP providing evidence for an "atomic size" effect; the short-range order paramcter for the first co-ordination shell is found to be a, i-0.13. A discussion of t,he results is prescnt.ed. hlit Hilfe der diffusen Kontgenstreuung wird die Kationcnverteilung in polykristallinern Ga,Inl-,P a.n Probcn mit. x = 0,s und 0,s untersucht. Die Bnalysc dcs diffusen Streuuntergrundes wird mit Hilfe eines Aripassungsvcrfakrens durchgefiihrt. In1 Fall dcs Gao,sIno,jP wird cine ausgepragtc Tendenz zur Entmiscliung sowie ein .,atomic size"-Effekt gefunden; der Warrensche Kahordnungsparameter fiir die erste Koortlinationsschale wird zii a, -+0,13 bestimnit. Die Ergebnisse werden diskntiert..
A study on long-wavelength optical phonon modes in Inl-,Ga,P is carried out by infrared reflection and Raman scattering. The oscillator strengths of the single reststrahlen band (one-mode behaviour) and of the additional band between the TO and LO mode are determined b y classical dispersion analysis. The origin of the additional structure is explained by non-isodisplacement motions of the P atoms in the long-wavelength phonon modes arising from changes in the nearestneighbour force constants with the kind of surrounding atoms. Compositional dependences of the mode frequencies and oscillator strengths are calculated using a virtual crystal model with five types of basic units.Die langwelligen optischen Phononen in In1 -,Ga,P werden mit Hilfe von Infrarotreflexion und Ramanstreuung untersucht. Die Oszillatorstarken der Reststrahlbande (Ein-Moden-Verhalten) und der zusatzlichen Bande zwischen der TO-und LO-Fundamentalmode werden durch klassische Dispersionsanalyse bestimmt. Die zusatzliche Struktur wird durch ungleiche Auslenkungen der P-Atome in den langwelligen Phononmoden erklart, die von Anderungen der Kraftkonstanten nachster Nachbarn mit der Art der Umgebung herruhren. Die Abhangigkeiten der ModenfrequenZen und Oszillatorstarken von der Zusammensetzung werden im Rahmen eines virtuellen KristallModells mit funf Basiseinheiten berechnet.
Characteristic defect structures in GaxIn1−xP are observed with the cathodoluminescence mode of a scanning electron microscope (SEM). The crystals are grown from In‐rich solutions by a modified Bridgman technique. The growth defects are interpreted as a cellular structure produced by instabilities of the phase boundary. Theoretical considerations support this interpretation.
Die Honzentrationsabhangigkeit des Brechungsindex von Ga(PAs) -und (GaIn)P-MischkristaUenl)In den Mischkristallsystemen GaP,Asi -, und Ga,Inl -,P ist der Brechungsindex bei der griinen Hg-Linie (A = 5461 A) ellipsometrisch in Abhiingigkcit vom Molenbruch z bestimmt worden. Der Nichtlinearitatsparameter c, dieser Abhangigkeit wird rnit Hilfe des PExN'schen Modells theoretisch gedeutet.Jn the two systems of mixcd crystals Ga,PAsl -, and Ga,Inl-,P tho refraction index -using the wavelength of the green Hg line ( A = 5461 A) -is determined ellipsometrically in dependence on the molo fraction z. The nonlincarity parameter c, of this dependence is compared with that estimated theoretically by the use of PENNS model.
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