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Hall effect measurements are described on heat treated and quenched p-type silicon crystals. Donor centres appear a t ( E , + 0.37) eV after this treatment. Introduction and annealing studies indicate that these centres are vacancy clusters. Similar investigations are made on electron irradiated samples.Halleffektmessungen an thermisch behandelten p-leitenden Siliziumkristallen werden beschrieben. Die dabei entstehenden Donatorzentren bei ( E , + 0,37) eV werden im Zusammenhang mit Alterungsuntersuchungen als Leerstellenkomplex gedeutet. Vergleichende Untersuchungen an mit Elektronen bestrahlten Proben werden diskutiert.

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Es wurde die Temperaturabhängigkeit der Hallbeweglichkeit an hochgereinigten und dotierten p‐leitenden Siliziumeinkristallen im Temperaturbereich von 20 bis 300 °K gemessen. Unterhalb von 100 °K können die Ergebnisse durch eine kombinierte Streuung der Defektelektronen an akustischen Gitterschwingungen und an ionisierten Störstellen erklärt werden. Bei alleiniger Streuung an akustischen Phononen gilt auch im p‐Silizium das T−3/2‐Gesetz. Zwischen 100 und 300 °K wird der Einfluß einer zusätzlichen Streuung an optischen Phononen diskutiert.