Es wird ein Ofen zur Herstellung yon Einkristallen und pn-Schichtkristallen nach dem CzocI~RAZSKI-Verfahren beschrieben. Spektralanalysen und Widerstandsmessungen erm6glichen eine Absch~itzung der Verunreinigungen und ihrer Entmischungskoeffizienten. Gleichstromkennlinien und Kapazit~iten der pn-Kristalle werden bei verschiedenen Temperaturen gemessen. Die Spannungsabh~ngigkeit der Kapazit~it liefert ein lineares St6rstellenprofil. Die gemessenen Diffusionsspannungen sowie die Neigungen der Flul3kennlinien entsprechen einer Abweichung der Tr~igerdichten am Sperrschichtrand vom BOLTZMANNschen Gesetz in der Form exp [U/(kT/e + 14 mV)]. Die Sperrstr6me weichen yon der SHOCKLEYschen pn-Theorie wesentlich ab: sie zeigen keine S/ittigung, eine zu kleine Temperatur-abh~ingigkeit und sind mehr als drei Gr6Benordnungen zu grol3. Dies kann erkl~Lrt werden durch die Annahme yon Haftstellen, sog. Traps, die als Rekombinationszentren ira SI~OCXLEY-REAI)schen Sinne wirken. Man finder, dab dann die wirksamen Trapniveaus 0,04 V oberhalb oder unterhalb der lBandmitte liegen. Ein Anstieg der KapazitS, t naeh tiefen Frequenzen hin erm6glicht eine Absch~Ltzung fiir die Trapdichte zu ~ 6 9 1015 cm -a und fiir den Wirkungsquerschnitt der Traps zu ~ 10 -17 cm 2.
Unter reinen Bedingungen geglühtes bzw. geglühtes und verformtes Germanium zeigt nach dem Abschrecken keine Änderung seiner elektrischen Leitfähigkeit. Die Trägerlebensdauer wird zwar nicht durch Glühen, jedoch durch zusätzliche Verformung drastisch herabgesetzt.
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