В статье представлены результаты исследования влияния геометрии конструкции активной области кристалла мощного СВЧ транзистора на его тепловой режим работы. Рассмотрены пять вариантов геометрии активной области ПТБШ. С помощью решения математической задачи получены зависимости теплового сопротивления канал-основание корпуса от уровня мощности тепловыделения.
Рабочая температура HEMT (high electron mobility transistor-транзистор с высокой подвижностью электронов) не должна превышать максимально допустимого значения, указанного в технических условиях на прибор. Превышение рабочей температуры приводит к снижению работоспособности прибора вплоть до его отказа. Рассмотрены два метода измерения теплового сопротивления: электрический (по сопротивлению канала) и оптический (с помощью пирометра). Установлено, что полученные значения тепловых сопротивлений HEMT хорошо коррелируют между собой. Показано, что пирометр может быть использован для определения усреднённых по структуре температур кристалла вплоть до температур порядка 250 о С и, следовательно, может быть использован для отбраковки потенциально ненадёжных приборов.
По значениям достоверных ВАХ можно понять исходные данные функционального применения полупроводникового прибора, его работоспособность, качество и воспроизводимость технологического процесса. Измерение ВАХ в непрерывном и импульсном режимах позволяет получить более полную информацию об электрических и тепловых характеристиках исследуемых приборов. Разработана установка для измерения ВАХ в импульсном режиме.
The article discusses the issues of design and methodology related to the current-voltage (I-V) characteristics of a GaN HEMT. Reliable I-V characteristics show the operability of a semiconductor device, provide initial data for functional application of the device, and provide insight into the quality and reproducibility of the technological process. The type and behavior of I–V characteristics are influenced by the design and technological features of a GaN HEMT. Measurements of I-V characteristics in continuous and pulsed operation modes provide more details about the electrical and thermal characteristics of the devices under study.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.