Investigation of the Effect of the Schottky Fet Active Region Design on Its Thermal Behavior

Abstract

В статье представлены результаты исследования влияния геометрии конструкции активной области кристалла мощного СВЧ транзистора на его тепловой режим работы. Рассмотрены пять вариантов геометрии активной области ПТБШ. С помощью решения математической задачи получены зависимости теплового сопротивления канал-основание корпуса от уровня мощности тепловыделения.