Comparison of Electrical and Ip-Optical Methods of Temperature Measurement of Algan/Gan Hemt

Abstract

Рабочая температура HEMT (high electron mobility transistor-транзистор с высокой подвижностью электронов) не должна превышать максимально допустимого значения, указанного в технических условиях на прибор. Превышение рабочей температуры приводит к снижению работоспособности прибора вплоть до его отказа. Рассмотрены два метода измерения теплового сопротивления: электрический (по сопротивлению канала) и оптический (с помощью пирометра). Установлено, что полученные значения тепловых сопротивлений HEMT хорошо коррелируют между собой. Показано, что пирометр может быть использован для определения усреднённых по структуре температур кристалла вплоть до температур порядка 250 о С и, следовательно, может быть использован для отбраковки потенциально ненадёжных приборов.