The main properties of metal-oxide-silicon radiation dosemeters are described and the results obtained in terms of sensitivity and stability with thick oxide layers are given. Possible methods for improving their sensitivity are briefly discussed. RÉSUMÉLes principales propriétés des dosimètres de rayonnement métal-oxyde-semiconducteur (MOS) sont décrites. Nous présentons les résultats obtenus pour la sensibilité et la stabilité des dosimètres à oxyde de grille épais qui montrent que ce composant a des applications en dosimetric des personnels et en médecine. Nous discuterons brièvement les améliorations possibles de la sensibilité.
The effects of ionizing radiation on MOS transistors with gate oxide thickness up to 2 μm have been investigated. The major focus of workers in this area has been on the hardening techniques of technologies. On the other side, our goal is to use MOS devices to reach higher sensitivities in order to detect small amounts of dose. Therefore, sensitivity as well as temperature response in the mil-std range and stability of the dosimeters have been studied.
L'explosion du marché des appareils multimédia, des systèmes portables ou nomades (téléphone, ordinateur, ...) et des technologies embarquées a eu pour conséquence un développement considérable du marché des composants mémoires. Ce développement a été motivé par le besoin de gérer et de stocker des quantités de données de plus en plus importantes, avec des vitesses d'accès et de traitement accélérées, sur des supports de plus en plus petits, tout en consommant de moins en moins d'énergie. Cet essor est aujourd'hui un enjeu commercial important qui stimule l'industrie et la recherche. Dans le domaine des mémoires non volatiles de type « Flash », cette tendance à la miniaturisation conduit à réduire les tensions d'adressage ainsi que l'épaisseur d'oxyde de grille, mais aussi à des temps de rétention toujours plus élevés (80% de la charge pendant 20 ans au lieu de 10 ans). Malheureusement, ces objectifs sont quasiment impossibles à tenir avec une technologie de stockage de charge dans une grille flottante en polysilicium. Dans ce cadre, le remplacement de cette grille par une couche granulaire de nanocristaux de Si enfouis dans l'oxyde de grille semble très prometteur et permettrait de repousser les limites actuelles de ces mémoires [1]. En effet, elle permet en particulier de limiter et de diminuer la perte de charge pour des épaisseurs d'oxyde comprises entre un et dix nanomètres. En outre, si le nombre d'électrons et donc de nanocristaux est faible, des effets de transport quantifiés apparaissent jusqu'à la température ambiante pour des dimensions nanométriques. Ce concept, dit « Nano-Inside », permet le développement d'une technologie hybride qui inclut des objets de taille nanométrique tout en restant compatible avec la technologie CMOS. Ces objets permettront alors d'envisager des applications « grand public » du type mémoires Flash de nouvelle génération, mémoires à un électron [2], interconnexions optiques de circuits intégrés [3], dispositifs électroluminescents (DEL), et ce à température ambiante.La déclinaison de cette technologie en une formation de courte durée met ici en oeuvre un procédé de synthèse de nanocristaux (NCs) par implantation ionique à très basse énergie (≤1keV), procédé « NANOCRYSTALS INSIDE », permettant de fabriquer un plan 2D de nanocristaux de silicium de taille inférieure à 3 nm dans une couche de SiO2 ultra-fine (<10nm) [4, 5 ,6] à l'aide des moyens de l'AIME, du CEMES/CNRS et du LPCNO/INSA. Cette formation se déroule en salle blanche et permet d'aborder par la pratique l'ensemble des procédés de micro-nanotechnologies appliqués à l'intégration de nanocristaux de silicium dans la technologie NMOS. Elle met ainsi en oeuvre toutes les opérations de fabrication des Article publié par EDP Sciences et disponible sur le site http://www.j3ea.org ou http://dx
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.