Энергетические спектры нанопленок SiO₂, созданных на поверхности Si ионной имплантацией

Состав и структура наноразмерных слоев Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-Na-=SUB=-x-=/SUB=-As, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na-=SUP=-+-=/SUP=-

“…Ионная бом-бардировка, температурный прогрев, лазерный отжиг и основные исследования с использованием методов вто-ричной и фотоэлектронной спектроскопии (ВЭС и ФЭС) проводились в одном и том же экспериментальном при-боре в условиях сверхвысокого вакуума (P ≈ 10 −7 Pa). Элементный и химический составы определялись ме-тодом оже-электронной спектроскопии, а электронная структура -методами ультрафиолетовой фотоэлек-тронной спектроскопии (УФЭС) и путем снятия энер-гетической зависимости интенсивности I проходящего света через образец [8]. Кристаллическая структура и морфология поверхности контролировались исполь-зованием стандартных установок ЭMP-2 и SUPRA-40.…”

Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO-=SUB=-2-=/SUB=-

“…Для создания наноразмерных структур на поверхности полупроводников и диэлектрических пленок часто используется метод ионной бомбардировки [11][12][13][14][15][16][17]. В [13] Таким образом, методом ионной бомбардировки в сочетании с отжигом впервые получены нанофазы и слои Si на различных глубинах приповерхностного слоя аморфных пленок и монокристаллических образцов SiO 2 .…”