Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO-=SUB=-2-=/SUB=-

Abstract

Методом бомбардировки ионами Ar+ с последующим отжигом на различных глубинах оксида кремния получены нанофазы и нанослои Si. При изменении энергии ионов E0 от 10 до 25 keV средняя глубина образования нанофаз Si меняется в пределах от 15 до 25 nm. Показано, что при изменении размеров нанофаз Si от ~ 10 до 25 nm ширина запрещенной зоны Eg уменьшается от 1.9 до 1.5 eV. Для нанослоев Si Eg составляет ~ 1.1-1.2 eV. Ключевые слова: гетероструктура, ионная бомбардировка, нанослой, поглощение света, степень покрытия.