Технология Роста И Характеристики Полученных Тонких Пленок Иридата Стронция И Гетероструктур Иридат-Купратный Сверхпроводник

Abstract

Предложена и отработана технология эпитаксиального роста тонких пленок иридата стронция Sr2IrO4 и гетероструктур Sr2IrO4/YBa2Cu3O7-delta, содержащих купратный сверхпроводник. Показано, что рост двухслойной структуры происходит эпитаксиально, а слой купратного сверхпроводника имеет ту же критическую температуру, что и автономная пленка (~ 91 K). Кристаллографические параметры полученных пленок иридата близки к табличным значениям, температурные зависимости сопротивления тонких пленок согласуются с литературными данными. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44705.16704

Синтез Тонких Пленок Иридатов Стронция Путем Катодного Распыления: Сравнение С Традиционной Технологией Лазерной Абляции

“…4 получена константа T 0 ∼ 150 • 10 6 градусов Кельвина. В работе [4] величина радиуса α в Sr 2 IrO 4 оценена как 0.5 nm, откуда вычисляется величина g ∼ 5 • 10 18 eV/cm 3 . Высокие сопротивления лазерных пленок можно объяснить и моделью трехмерной прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка.…”

Сверхпроводниковые Гетероструктуры С Прослойкой Из Материала С Сильным Спин-Орбитальным Взаимодействием

“…Затем проводилась термообработка при высокой температуре с промежуточным измельчением и повторным прессованием. Рентгенофазовый анализ показал, что полученные мишени являются однофазными и имеют тетрагональную кристаллическую решетку: пространственная группа I4/mmm, параметры решетки: a = 0.3884 nm, c = 1.2891 nm [12]. Полученные параметры близки к табличным значениям для монокристаллов, которые составляют соответственно 0.3888 nm и 1.290 nm в работе [13].…”