Емкостная Спектроскопия Дырочных Ловушек В Высокоомных Структурах Арсенида Галлия, Выращенных Жидкофазным Методом

Abstract

В выращенных методом жидкофазной эпитаксии GaAs-структурах с дырочным типом проводимости методами емкостной спектроскопии (адмиттанс-спектроскопии и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней) обнаружены три глубоких акцепторных уровня с энергиями активации ∼ 0.7, ∼ 0.41 и ∼ 0.16 эВ. Первые два уровня известны как HL2, HL5 и связываются с особенностями роста слоев GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Они являются эффективными рекомбинационными центрами, опреде-ляющими обратные токи в p−i−n-диодах, что подтверждается изучением температурных зависимостей обратных токов. Уровень с энергией Ev + 0.16 эВ может быть связан с двухзарядным акцепторным уровнем собственного антиструктурного дефекта Ga As , который в однозарядном состоянии определяет уровень легирования структур.

Резонансная Микроволновая Спектроскопия Полупроводников С Микронным Разрешением

“…Параметры глубоких состояний обычно исследуются методом АС в диапазоне частот f < 10 MHz при размере контакта a > 100 µm [37,[41][42][43][44]. С этой целью специально создается контакт с барьером Шоттки.…”