В выращенных методом жидкофазной эпитаксии GaAs-структурах с дырочным типом проводимости методами емкостной спектроскопии (адмиттанс-спектроскопии и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней) обнаружены три глубоких акцепторных уровня с энергиями активации ∼ 0.7, ∼ 0.41 и ∼ 0.16 эВ. Первые два уровня известны как HL2, HL5 и связываются с особенностями роста слоев GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Они являются эффективными рекомбинационными центрами, опреде-ляющими обратные токи в p−i−n-диодах, что подтверждается изучением температурных зависимостей обратных токов. Уровень с энергией Ev + 0.16 эВ может быть связан с двухзарядным акцепторным уровнем собственного антиструктурного дефекта Ga As , который в однозарядном состоянии определяет уровень легирования структур.
The first results on the creation of an original power GaAs field-effect transistor with a vertical channel controlled by the p-n junction are presented. The main technological feature is the use of two separate processes of epitaxial growth in the formation of the transistor structure. The part of the transistor containing the drain, drift and gate areas is grown by liquid-phase epitaxy. The technology of organometallic gas-phase epitaxy is used to form the areas of the channel and the source.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.