Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC

Abstract

Изготовлены диоды Шоттки графит/p-SiC методом переноса нарисованной пленки графита на подложку монокристаллического p-SiC. Измерены вольт-амперные (при различных температурах) и вольт-фарадные характеристики. Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последователь-ного сопротивления диода Шоттки графит/p-SiC. Определены доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереход при прямом и обратном смещениях. Установлено, что основными механизмами токопереноса через диод Шоттки графит/p-SiC при прямых смещениях являются многоступенчатый туннельно-рекомбина-ционный механизм и туннелирование, которое описывается формулой Ньюмена (при больших смещениях). При обратных смещениях -эмиссия Френкеля-Пулла и туннельный механизм токопереноса. Показано, что диод Шоттки графит/p-SiC можно использовать в качестве детекторов ультрафиолетового излучения, поскольку он имеет напряжение холостого хода Voc = 1.84 В и ток короткого замыкания Isc = 2.9 мА/см 2 при освещении ртутно-кварцевой лампой ДРЛ 250-3, которая находилась на расстоянии 3 см от образца.

Электрические и оптические свойства пленок Cu-=SUB=-2-=/SUB=-Zn(Fe,Mn)SnS-=SUB=-4-=/SUB=-, изготовленных спрей-пиролизом

“…Для изготовления электрических контактов использовался молибден (Mo), так как он чаще всего применяется как тыловой контакт в кон-струкциях солнечных элементов на основе CZTS [36] и обеспечивает достаточную стабильность свойств при высоких температурах. Контактные участки на пленках изготавливались магнетронным напылением молибдена на вакуумной установке Leybold Heraeus L560 [37,38]. Оммичность контактов контролировалась трехзондовым методом.…”