Изготовлены диоды Шоттки графит/p-SiC методом переноса нарисованной пленки графита на подложку монокристаллического p-SiC. Измерены вольт-амперные (при различных температурах) и вольт-фарадные характеристики. Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последователь-ного сопротивления диода Шоттки графит/p-SiC. Определены доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереход при прямом и обратном смещениях. Установлено, что основными механизмами токопереноса через диод Шоттки графит/p-SiC при прямых смещениях являются многоступенчатый туннельно-рекомбина-ционный механизм и туннелирование, которое описывается формулой Ньюмена (при больших смещениях). При обратных смещениях -эмиссия Френкеля-Пулла и туннельный механизм токопереноса. Показано, что диод Шоттки графит/p-SiC можно использовать в качестве детекторов ультрафиолетового излучения, поскольку он имеет напряжение холостого хода Voc = 1.84 В и ток короткого замыкания Isc = 2.9 мА/см 2 при освещении ртутно-кварцевой лампой ДРЛ 250-3, которая находилась на расстоянии 3 см от образца.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.