Гетероструктуры Одночастотных И Двухчастотных Квантово-Каскадных Лазеров

Abstract

The results of development of the basic structure and technological conditions of growing heterostructures for single- and dual-frequency quantum-cascade lasers are reported. The heterostructure for a dual-frequency quantum-cascade laser includes cascades emitting at wavelengths of 9.6 and 7.6 μm. On the basis of the suggested heterostructure, it is possible to develop a quantum-cascade laser operating at a difference frequency of 8 THz. The heterostructures for the quantum-cascade laser are grown using molecularbeam epitaxy. The methods of X-ray diffraction and emission electron microscopy are used to study the structural properties of the fabricated heterostructures. Good agreement between the specified and realized thicknesses of the epitaxial layers and a high uniformity of the chemical composition and thicknesses of the epitaxial layers over the area of the heterostructure is demonstrated. A stripe-structured quantum-cascade laser is fabricated; its generation at a wavelength of 9.6 μm is demonstrated.

Квантово-Каскадные Лазеры С Распределенным Брэгговским Отражателем, Сформированным Методом Ионно-Лучевого Травления

“…В настоящей работе представлены результаты по формированию и исследованию ККЛ с РБО спектрального диапазона 7.5−8.0 µm, работающих при комнатной температуре. Гетероструктура ККЛ была выращена на подложке InP с ориентацией (001) компанией " Коннектор Оптикс" на промышленной установке молекулярно-пучковой эпитаксии Riber 49 [15,16]. Использована конструкция волновода с тонкой верхней обкладкой толщиной 750 nm на основе фосфида индия.…”

Одночастотная Генерация Арочных Квантово-Каскадных Лазеров При Комнатной Температуре

“…Коннектор Оптикс" на промышленной установке молекулярно-пучковой эпитаксии Riber 49, оснащенной твердотельным источником мышьяка, фосфора крекерного типа и источниками марки ABI 1000 для создания потоков галлия и индия [10,11]…”

Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 μm

“…В настоящей работе представлены результаты исследований по формированию мощных ККЛ с длиной волны генерации 8 µm в геометрии резонатора Фабри−Перо, работающих в импульсном режиме накачки при комнатной температуре. Гетероструктура ККЛ была выращена компанией " Коннектор Оптикс" на промышленной установке молекулярно-пучковой эпитаксии Riber 49, оснащенной твердотельным источником мышьяка, фосфора крекерного типа и источниками марки ABI 1000 для создания потоков галлия и индия [8,9]. В качестве подложки использовались пластины InP с ориентацией (001), легированные серой до уровня n = 1 • 10 17 cm −3 .…”