Одночастотная Генерация Арочных Квантово-Каскадных Лазеров При Комнатной Температуре

Гладышев²,

Денисов³

et al. 2021

Self Cite

The possibility of fabrication of 4.6 µm spectral range quantum-cascade laser heterostructures by molecular-beam epitaxy technique with non-selective overgrowth by the metalorganic vapour-phase epitaxy is shown. The active region of the laser was formed on the basis of a heteropair of In0.67Ga0.33As/In0.36Al0.64As solid alloys. The waveguide claddings are formed by indium phosphide. The results of surface defects inspection and X-ray diffraction analysis of quantum-cascade laser heterostructures allow to conclude that the structural quality of the heterostructures is high and the estimated value of the root mean square surface roughness does not exceed 0.7 nm. Lasers with four cleaved facets exhibit lasing at room temperature with a relatively low threshold current density of the order of 1 kA /cm2.

Гетероструктуры Квантово-Каскадных Лазеров С Неселективным Заращиванием Методом Газофазной Эпитаксии

Гладышев²,

Денисов³

et al. 2021

Self Cite

“…Конструкция внешнего резонатора дала возможность реализовать перестройку длины волны излучения в широком диапазоне [2]. Альтернативные подходы по селекции оптических мод высшего порядка основаны на использовании фотонных кристаллов [3], интерферометров Маха-Цендера, кольцевых [4], связанных [5,6], а также монолитно связанных резонаторов [7][8][9].…”

Section: поступило в редакцию 29 ноября 2019 г в окончательной редакunclassified

Квантово-Каскадные Лазеры С Распределенным Брэгговским Отражателем, Сформированным Методом Ионно-Лучевого Травления

Pashnev

Гладышев³

et al. 2020

Self Cite

Single-frequency lasing of quantum-cascade lasers with a distributed Bragg reflector formed by the focused ion beam milling technique in the layers of the upper cladding of the waveguide is demonstrated. The active region In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As is formed based on the scheme with two-phonon lower energy level depopulation in the cascade. Single-frequency lasing at a temperature of 280 K corresponded to a radiation wavelength of 7.74 μm; the side mode suppression ratio (SMSR) was 24 dB.

“…Конструкция на основе двухфононного резонансного рассеяния позволяет достичь высокого усиления в узкой спектральной области (вследствие малой ширины спектра усиления), что дает возможность реализовать генерацию в непрерывном режиме при повышенных температурах. В частности, на основе данной схемы активной области удалось реализовать одночастотную лазерную генерацию при комнатной температуре в арочной геометрии резонатора [7].…”

Section: поступило в редакцию 4 апреля 2019 г в окончательной редакцunclassified

Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 μm

Дюделев²,

Гладышев³

et al. 2019

Self Cite

The heterostructure of a quantum-cascade laser based on In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As heteropair lattice matched with the InP was grown by molecular beam epitaxy. InP layers was used to form the optical waveguide. Room temperature lasing in the spectral range of 8 μm in the standard ridge geometry of a Fabry-Perot cavity formed by cleaved facets with peak output optical power of 0.45 W was obtained.