2017
DOI: 10.21883/pjtf.2017.14.44833.16776
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7-8 mum

Abstract: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии продемонстрирована возможность изготовления гетероструктур квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7-8 mum, содержащих в активной области 50 квантовых каскадов на основе гетеропары твердых растворов In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As. Для получения оптического излучения использована конструкция квантового каскада, основанная на принципе двухфононного резонансного рассеяния. Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы структу… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2

Citation Types

0
0
0
5

Year Published

2019
2019
2020
2020

Publication Types

Select...
4

Relationship

4
0

Authors

Journals

citations
Cited by 4 publications
(5 citation statements)
references
References 10 publications
0
0
0
5
Order By: Relevance
“…Активная область включала 50 каскадов на основе гетеропары In 0.53 Ga 0.47 As/Al 0.48 In 0.52 As. Использована конструкция с двухфононным резонансным рассеянием носителей заряда [10,11]. Толщина верхней обкладки волновода (слоя InP) составила 4 µm (n = 1 • 10 17 cm −3 ).…”
Section: поступило в редакцию 4 апреля 2019 г в окончательной редакцunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Активная область включала 50 каскадов на основе гетеропары In 0.53 Ga 0.47 As/Al 0.48 In 0.52 As. Использована конструкция с двухфононным резонансным рассеянием носителей заряда [10,11]. Толщина верхней обкладки волновода (слоя InP) составила 4 µm (n = 1 • 10 17 cm −3 ).…”
Section: поступило в редакцию 4 апреля 2019 г в окончательной редакцunclassified
“…ПЭМизмерения выполнены с использованием оборудования федерального ЦКП " Материаловедение и диагностика в передовых технологиях", поддержанного Министерством науки и высшего образования РФ (уникальный идентификатор RFMEFI62117X0018). Измерения кривых качания были проведены вблизи симметричного рефлекса (004) InP на дифрактометре PANalytical X'PertPro в параллельной геометрии пучка рентгеновского излучения [11]. Рентгенодифракционная кривая сформированной гетероструктуры представлена на рис.…”
Section: поступило в редакцию 4 апреля 2019 г в окончательной редакцunclassified
“…В исследованиях использовались ККЛ с длиной волны генерации 8 µm. Образцы были изготовлены из гетероструктуры, аналогичной описанной ранее [9]. Ширина полосков исследуемых ККЛ составляла 22 и 50 µm.…”
unclassified
“…Активная область включала 50 каскадов на основе гетеропары In 0.53 Ga 0.47 As/In 0.52 Al 0.48 As. Использована конструкция с двухфононным резонансным рассеянием носителей заряда[12,13]. Толщина верхней обкладки волновода (слоя InP) составила 4 µm (n = 1 • 10 17 cm −3 ).…”
unclassified