Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 mum

Pashnev

Гладышев³

et al. 2020

Self Cite

Single-frequency lasing of quantum-cascade lasers with a distributed Bragg reflector formed by the focused ion beam milling technique in the layers of the upper cladding of the waveguide is demonstrated. The active region In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As is formed based on the scheme with two-phonon lower energy level depopulation in the cascade. Single-frequency lasing at a temperature of 280 K corresponded to a radiation wavelength of 7.74 μm; the side mode suppression ratio (SMSR) was 24 dB.

Section: поступило в редакцию 29 ноября 2019 г в окончательной редакunclassified

Квантово-Каскадные Лазеры С Распределенным Брэгговским Отражателем, Сформированным Методом Ионно-Лучевого Травления

Pashnev

Гладышев³

et al. 2020

Self Cite

“…Коннектор Оптикс" на промышленной установке молекулярно-пучковой эпитаксии Riber 49, оснащенной твердотельным источником мышьяка, фосфора крекерного типа и источниками марки ABI 1000 для создания потоков галлия и индия [10,11]…”

Section: поступило в редакцию 28 января 2019 г в окончательной редакunclassified

Одночастотная Генерация Арочных Квантово-Каскадных Лазеров При Комнатной Температуре

Гладышев²,

Курочкин³

et al. 2019

Self Cite

Single-mode lasing at room temperature in quantum-cascade lasers (QCLs) with arched cavity design has been demonstrated. The output optical power in single-mode lasing regime at ~7.7-μm lasing wavelength was above 6 mW with a side-mode suppression ratio of up to 25 dB. The QCL heterostructure for the arched cavities was grown by molecular-beam epitaxy (MBE) based on a heterojunction of In_0.53Ga_0.47As/Al_0.48In_0.52As solid alloys, lattice-matched with InP substrate, and InP layers performing the function of waveguide claddings.

“…В настоящей работе представлены результаты исследований по формированию мощных ККЛ с длиной волны генерации 8 µm в геометрии резонатора Фабри−Перо, работающих в импульсном режиме накачки при комнатной температуре. Гетероструктура ККЛ была выращена компанией " Коннектор Оптикс" на промышленной установке молекулярно-пучковой эпитаксии Riber 49, оснащенной твердотельным источником мышьяка, фосфора крекерного типа и источниками марки ABI 1000 для создания потоков галлия и индия [8,9]. В качестве подложки использовались пластины InP с ориентацией (001), легированные серой до уровня n = 1 • 10 17 cm −3 .…”

Section: поступило в редакцию 4 апреля 2019 г в окончательной редакцunclassified

Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 μm

Дюделев²,

Гладышев³

et al. 2019

Self Cite

The heterostructure of a quantum-cascade laser based on In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As heteropair lattice matched with the InP was grown by molecular beam epitaxy. InP layers was used to form the optical waveguide. Room temperature lasing in the spectral range of 8 μm in the standard ridge geometry of a Fabry-Perot cavity formed by cleaved facets with peak output optical power of 0.45 W was obtained.