Zur Messung der Diffusionslänge der Minoritätsträger in Halbleitern

Abstract

Mittels Lichtsondenabtastung wird die Ortsabhängigkeit des p—n‐Photoeffektes bzw. des Randschichtphotoeffektes an schräg geschliffenen Proben gemessen und daraus die Diffusionslänge bestimmt. Es können Diffusionslängen ≧ 10 μm gemessen werden, die bei gegebener Temperatur unabhängig von der Größe der Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit, des Reflexionsvermögens und der Quantenausbeute sind. Die Methode wurde durch Messung an Silizium geprüft.

On the influence of microdefects on charge carriers in silicon

“…Therefore, in the case of a scanning electron beam the variations of the current, due to local changes of the generation rate, surface recombination and diffusion length of the carriers can be made visible by contrasts in EBIC micrographs. Because of L = ( D Z )~/~ with D = ( k T / e ) p (p mobility and7 lifetime of minority carriers) the usual determination of diffusion length [5] does not allow to distinguish between recombination (t) and scattering (p) properties.…”