Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications

Godlewski, M.; Guziewicz, E.; Kopalko, K.; Luka, G.; Łukasiewicz, Małgorzata; Krajewski, T.; Witkowski, B.S.; Gierałtowska, S.

doi:10.1063/1.3570930

Cited by 76 publications

(26 citation statements)

References 41 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Lorentzian functions were employed to fit the Raman spectra in the region between 300 and 600 cm −1 . The observed peaks at about 438 and 586 cm −1 are assigned to be E (2) 2 (high-frequency E 2 mode) and Quasi-LO (QLO), respectively, [33][34][35]. The peak at 329 cm −1 results from the multiple phonon scattering processes [36].…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

“…Zinc oxide (ZnO) is a semiconductor with a wide direct band gap of 3.37 eV and a large exciton binding energy of 60 meV, which makes the material useful for optoelectronic application [1,2]. Nanostructures of ZnO such as ZnO nanorods and nanowires have received increased attention due to their excellent electrical and optical properties [3].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Growth of ZnO Nanorod Arrays on Flexible Substrates: Effect of Precursor Solution Concentration

et al. 2012

View full text Add to dashboard Cite

We report a low-temperature aqueous solution growth of uniformly aligned ZnO nanorod arrays on flexible substrates. The substrate is Indium Tin Oxide (ITO) film coated on polyethylene terephthalate (PET). Solutions with five different concentrations of the precursors with equimolar Zinc Nitrate and Hexamethylenetetramine (HMT) in distilled water were prepared to systematically study the effect of precursor solution concentration on the structural and optical properties of ZnO nanorods. It was concluded that the precursor concentration have great influence on the morphology, crystal quality, and optical property of ZnO nanorods. The diameter, density, and orientation of the nanorods are dependent on the precursor solution concentration. X-ray diffraction and micro-Raman spectroscopy showed that the ZnO nanorods with the highest concentration of 50 mM were highly aligned and have the highest level of surface coverage. It was also found that the diameter and length of the nanorods increases upon increasing precursor solution concentration. This is the first systematic investigation of studying the effect of precursor solution concentration on the quality of ZnO nanorods grown on ITO/PET substrates by low-temperature solution method. We believe that our work will contribute to the realization of flexible organic-inorganic hybrid solar cell based on ZnO nanorods and conjugated polymer.

show abstract

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Growth of ZnO Nanorod Arrays on Flexible Substrates: Effect of Precursor Solution Concentration

et al. 2012

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Пропускання плiвок ZnO : Al було на тому ж рiвнi або трохи вище в порiвнян-нi з плiвками ZnO. Детально результати розробки АПО технологiї для отримання прозорих провiд-них плiвок ZnO i ZnO : Al та результати їх дослi-дження представленi в роботах [1,[15][16][17][18][19][20].…”

Section: технологIя нанесення I властивостI плIвок Zno I Zno : Alunclassified

Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties

Semikina

2018

Ukr. J. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

Розроблена технологiя квазiзамкненого простору для осадження шарiв CdS та CdTe з подальшим виготовленням сонячних елементiв (СЕ). Дослiджуються та аналiзую-ться технологiчнi чинники, вiд яких залежить структура кристалiчної ґратки, ши-рина оптичної забороненої зони та провiднiсть CdS та CdTe. Запропонована техноло-гiя виготовлення омiчного контакту до -CdTe на основi виродженого напiвпровiдника Cu S. Аналiзуються характеристики СЕ виготовлених на пiдкладках з рiзними про-вiдними плiвками (Mo, ZnO, ZnO : Al). Результати обробки свiтлових та темнових вольт-амперних характеристик показують перевагу ZnO та ZnO : Al плiвок, отрима-них методом атомного пошарового осадження, для застосування в СЕ. Визначено тов-щини шарiв CdS ( = 67 нм), CdTe (∼1 мкм) та Cu S (30 нм), при яких була отримана краща ефективнiсть ( = 1,75-1,89%) та показано, що використання тонких плiвок в структурi СЕ покращує їх характеристики. К л ю ч о в i с л о в а: метод квазi-замкненого простору, CdS/CdTe сонячнi елементи, Cu S омiчний контакт, провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO : Al. ВступПошук альтернативних джерел енергiї стимулює науковi розробки, спрямованi на створення висо-коефективних i дешевих сонячних елементiв (СЕ). Особливий iнтерес викликають сонячнi елементи на основi тонких плiвок. Тонкоплiвковi сонячнi елементи (ТСЕ) стають конкурентноздатними в порiвняннi з кремнiєвими (монокристалiчними та полiкристалiчними) завдяки своїй дешевизнi i до-сягнутим високим значенням ефективностi [1]. Со-нячнi панелi з телуриду кадмiю (CdTe) за обся-гом виробництва йдуть другими пiсля кремнiєвих елементiв. У 2016 роцi для сонячних елементiв на основi CdTe вдалося подолати значення ефектив-ностi 16,5%, яке трималося впродовж останнiх 10 рокiв. В роботi [2] представленi такi значення па-раметрiв ТСЕ на основi CdS/CdTe (при освiтленнi © Т.В. СЕМIКIНА, 2018 1000 Вт/м 2 (АМ1,5), температурi 25 ∘ С): ефектив-нiсть 21,0 ± 0,4%, область апертури 1,0623 см 2 , на-пруга холостого ходу хх = 0,8759 В, струм ко-роткого замикання кз = 30,25 мА/см 2 , фактор заповнення = 79,4%. Для модулiв наземно-го призначення з тонкоплiвковими CdS/CdTe СЕ отриманi такi данi за умови освiтлення АМ 1,5 i температурi 25 ∘ С: ефективнiсть = 18,6 ± ± 0,6%, площа апертури 7038,8 см 2 , хх = 110,6 В, кз = 1,533 А, = 74,2%. Рекордними резуль-татами для CdS/CdTe СЕ є вiдповiдно значення:= 22,1 ± 0,5%, освiтлена область 0,4798 см 2 , хх = 0,8872 В, кз = 31,69 мА/см 2 , = 78,5% за умов вимiрювання АМ1,5 та 25 ∘ С. Технологiя виробництва CdS/CdTe СЕ придатна для широко-масштабного виробництва з таких причин [3,4]:• можливiсть використання дешевих пiдкладок на основi натрiєво-кальцiєвого силiкатного скла, якi можуть витримати температуру 500 ∘ С;

show abstract

“…In the era of nanomaterials, several electrochemical systems have been developed using various nanomaterials such as nanostructured metal oxides [2]. Amongst the nanostructured metal oxides, zinc oxide semiconductor nanocrystals (ZnO NCs) have been widely used in photocatalytic [3], photonic [4] spintronic [5], and many other optoelectronic applications [6]. This could be attributed to their wide band gap (3.37 eV) and large excitonic binding energy (60 meV) [7,8].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Synthesis, characterization and electrochemical-sensor applications of zinc oxide/graphene oxide nanocomposite

et al. 2016

View full text Add to dashboard Cite

Nanostructured metal oxides received considerable research attention due to their unique properties that can be used for designing advanced nanodevices. Thus, in the present study, zinc oxide/graphene oxide (ZnO/GO) nanocomposite was synthesized, characterized and implemented in an electrochemical system. The formation of a compacted ZnO/GO nanocomposite was confirmed by field emission scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray diffraction (XRD), and attenuated total reflectance spectroscopy. HRTEM showed that ZnO nanocrystals (NCs) are well formed on the GO surface and are interconnected via GO functional groups. From the XRD patterns, the average size of ZnO NCs was found to be about 21.7 ± 2.3 nm which is in agreement with the HRTEM results. The newly developed nanocomposite-based electrochemical system showed a significant improvement in both electrical conductivity and the electrocatalytic activity as noted from the cyclic voltammetry measurements. Consequently, direct electron transfer efficiency was confirmed and used for the amperometric detection of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ). Fast and sensitive electrochemical responses for the detection of H 2 O 2 at 1.1 V in the linear response range from 1 to 15 mM with the detection limit (S/N = 3) of 0.8 mM were obtained. These results demonstrated that the prepared ZnO/GO/CPE displayed a good performance along with high sensitivity and longterm stability.

show abstract

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications

Cited by 76 publications

References 41 publications

Growth of ZnO Nanorod Arrays on Flexible Substrates: Effect of Precursor Solution Concentration

Growth of ZnO Nanorod Arrays on Flexible Substrates: Effect of Precursor Solution Concentration

Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties

Synthesis, characterization and electrochemical-sensor applications of zinc oxide/graphene oxide nanocomposite

Contact Info

Product

Resources

About