WA-B5 high-electron mobility transistors with selectively doped GaAs/n-AlGaAs heterojunctions

Carrier storage time of milliseconds at room temperature in self-organized quantum dots

“…Die Änderung der Kristallmorphologie beim Wachstum von verspannten Halbleiter-Heterostrukturen hängt von der Materialkomposition und den Wachstumsbedingungen ab. 20 Anstelle eines strik- 20 der Übergang vom zweidimensionalen zum dreidimensionalen Inselwachstum statt.…”

Двумерный Электронный Газ В Обращенных Гетероструктурах С Донорно-Акцепторным Легированием

“…Лишь с появлением двойных гетероструктур с донорно-акцепторным легированием (DA-DpHEMT) [5,6] появилась дополнительная возмож-ность -возможность использования усиленного размерного квантова-ния для управления характеристиками переноса горячих электронов в канале [7]. Отдельный тип структур, в которых при работе полевых транзисторов могут проявляться квантовые эффекты, представляют собой обращенные гетероструктуры [8,9] главная особенность кото- рых, в отличие от традиционных структур [10][11][12], -сужение, а не расширение квантовой ямы при увеличении напряжения на затво-ре [13], а соответственно увеличение, а не уменьшение расстояния между подзонами размерного квантования. Однако при использовании в высокочастотных полевых транзисторах такая конструкция имеет существенный недостаток.…”

“…1). Такая конструкция может иметь ряд существенных преимуществ перед обычной структурой [10][11][12], особенно при работе транзисторов в коротковолновой части mm-и THz-диапазона длин волн. Во-первых, она позволяет существенно приблизить квантовую яму к затвору, т. е. как уменьшить затворные краевые эффекты, а значит увеличить быстродействие, так и заметно увеличить крутизну транзистора, что соответственно сильно уменьшит влияние паразитных элементов.…”

Quasi one-dimensional transport in single GaAs/AlGaAs core-shell nanowires

“…Moreover, this bottom-up approach gives the possibility to achieve heterostructure material combinations that are not possible in bulk semiconductors [3]. In particular core-shell heterostructures formed by the growth of crystalline overlayers around the initial NW reduces surface states which can act as scattering or recombination centers [4].The GaAs/AlGaAs material system, which presents very large band offsets and small lattice mismatches, has been studied and used extensively to fabricate heterostructures with complex band engineering along the growth direction of the crystal [5].The modulation-doping concept [6] was first implemented in this system and high electron mobility transistors were demonstrated [7]. Nowadays, a low-temperature electron mobility of several 10 6 cm 2 /V.s is currently obtained in 2D structures [8].…”

“…The modulation-doping concept [6] was first implemented in this system and high electron mobility transistors were demonstrated [7]. Nowadays, a low-temperature electron mobility of several 10 6 cm 2 /V.s is currently obtained in 2D structures [8].…”