Двумерный Электронный Газ В Обращенных Гетероструктурах С Донорно-Акцепторным Легированием

Пашковский, А.Б.; Новиков, С.И.; Лапин, В.Г.; Лукашин, В.М.

doi:10.21883/pjtf.2017.12.44707.16718

Cited by 1 publication

(1 citation statement)

References 6 publications

(9 reference statements)

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…С другой стороны, увеличение эффективной массы должно приводить к снижению энергии размерного квантования и увеличенной плотности состояний. Вследствие этих факторов возрастает эффективная глубина КЯ, должна снижаться вероятность переходов горячих электронов в широкозонный барьер, что может приводить к увеличению дрейфовой скорости насыщения [4].…”

Section: поступило в редакцию 20 августа 2018 гunclassified

Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне delta-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью

Safonov¹,

Виниченко²,

Каргин³

et al. 2018

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Using the Shubnikov–de Haas effect, the dependences of electron effective mass m * and transport and quantum momentum relaxation times in Al_0.25Ga_0.75As/In_0.2Ga_0.8As/GaAs pseudomorphic quantum wells with one-sided silicon δ-doping on the electron density in the range of (1.1–2.6) × 1012 cm^–2 have been established. Nonparabolicity coefficient m * in the linear approximation was found to be 0.133 m _0/eV. Both the transport and quantum momentum relaxation times depend nonmonotonically on Hall electron density nH, which is related to the competition between growth mechanisms of the Fermi momentum and the increasing contribution of large-angle scattering with increasing donor concentration.

show abstract

Section: поступило в редакцию 20 августа 2018 гunclassified