Thermovoltaic properties of technical silicon melted by solar radiation

Особенности технологии и некоторые свойства гетероэпитаксиальных структур Si-Ge/Si

“…Интерес к исследованию электрофизических свойств различных полупроводников при их нагреве обусловлен поиском приемлемых по доступности и стоимости новых термоэлектрических материалов, которые могли бы заменить дорогие и дефицитные традиционные на основе теллурида висмута и других редкоземельных элементов, причём даже не только в энергетических системах, сколько в бытовых термопреобразователях или в различных термочувствительных датчиках. В [1] описано возникновение аномально высоких термо-эдс у нагреваемых образцов поликристаллического кремния, а точнее на р-n структурах, выполненных на подложках из мультикремния, представляющего собой вторичный литой поликристаллический кремний (ВЛПК) [2][3][4], изготавливаемый переплавом отходов производства кремния-сырца и монокристаллического кремния, в том числе с добавлением в шихту технического кремния (ТК) [5], или получаемый из подобной по составу шихты, но в процессе вытягивания по Чохральскому [6], а также на образцах, полученных зонной переплавкой ТК на солнечной печи [7]. Наблюдаемые при нагреве этих образцов аномально высокие значения коэффициента Зеебека объясняли проявлением тепловольтаического эффекта [1,8], суть которого заключается в генерации носителей заряда за счет поглощения субзонных фотонов с участием глубоких энергетических уровней, обусловленных дефектами структуры, которыми изобилуют границы зерен как ВЛПК, так и переплавленного ТК.…”