Особенности технологии и некоторые свойства гетероэпитаксиальных структур Si-Ge/Si

Abstract

Экспериментально обнаружено появление термо-эдс на нагреваемых р-n гетероструктурах, содержащих на поверхности кремниевых подложек осажденные из газовой фазы плёнки твёрдого раствора Si-Ge, сильно легированные титаном. Появление термо-эдс объяснено тепловольтаическим эффектом, то есть генерацией носителей заряда за счёт поглощения субзонных фотонов с участием глубоких энергетических уровней, обусловленных как структурными дефектами Si-Ge плёнок, так и примесью титана. Показано, что при нагреве р-n структур до 800 К величина эдс составляет несколько мВ, а дополнительная локальная засветка поверхности приводит к увеличению тока в 15 раз.