Die einseitig ablaufende Diffusion von Silber in Tellur wurde an diinnen im Hochvakuum auf eine isolierende Unterlage aufgedampften Schichten im Temperaturbereich 0 bis 192" C untersucht. Besondere Beachtung fand dabei die Schichtdickenabhangigkeit des Anlaufvorganges sowie der EinfluB der Unterlage.