Thermoelectric properties of Bi0.5Sb1.5Te3 thin films grown by pulsed laser deposition

Получение Тонких Пленок Теллурида Висмута На Полиимидных Подложках Методом Импульсного Лазерного Осаждения

“…В литературе обычно встречается немного более низкий диапазон оптимальных давлений -от 0.1 до 0.6 Tорр [16,20,23], чем в данной работе, который составляет 0.4−0.8 Tорр. Стоит отметить, что электрическое сопротивление пленок всегда увеличивалось с увеличением давления, и в нашей работе наилучшие образцы обладают высокими значениями удельного электрического сопротивления по сравнению с исходным материалом и лучшими образцами, полученными методом ИЛО в работах [18,19,24], значение PF которых достигает 22−33 мкВт/см • K 2 . Следует отметить, что из-за особенностей роста пленок их электрические свойства зависят от морфологии и материала подложки, чем можно объяснить повышенные электрические сопротивления пленок в данной работе и что является предметом дальнейших исследований.…”

“…Наилучшие результаты достигаются при температурах подложки в районе 300 • С и давлении защитных газов в диапазоне 0.1−1.0 Tорр [14][15][16][17]. Наблюдается большой разброс по наилучшим достигнутым свойствам термоэлектрических пленок двойных и тройных систем: сообщается о коэффициентах Зеебека от 100 до 220 мкВ/K и электрических факторах мощности от 1 до 35 мкВт/см • K [18][19][20][21].…”

Термоэлектрические свойства пленок p-Bi-=SUB=-0.5-=/SUB=-Sb-=SUB=-1.5-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=- на гибкой подложке

“…Пленки на основе Bi 2 Te 3 изготавливались методами совместного испарения, молекулярно-лучевой эпитаксии, магнетронного распыления и импульсного лазерного осаждения [11][12][13][14][15]. Структурные и микроструктурные свойства тонких пленок на различных типах подложек хорошо известны в литературе [16][17][18][19][20]. Однако высокого значения Z для пленок на основе Bi 2 Te 3 , такого как для объемных кристаллов Значительное повышение термоэлектрических характеристик пленок p-Bi 0.5 Sb 1.5 Te 3 на тонкой гибкой подложке открывает новые возможности для разработки пленочных термоэлектрических преобразователей [30].…”

Development of Thermal Detector Based on Flexible Film Thermoelectric Module

“…Thin films have a big potential for application in thermal thermoelectric detectors due to their small thickness, which allowed them to have the large number of thermocouples in a volume unit [14]. These films were fabricated by co-evaporation, molecular beam epitaxy, hot wall, magnetron sputtering, pulsed laser deposition [15][16][17][18][19][20]Taras Parashchuk,Leonid Chernyak,Sergey Nemov, Zinovi Dashevsky, Influence of Deformation on Pb1−xInxTe1−yIy and Pb1−x−ySnxInyTe Films, 257 (12), 2000304]. However, the high value of the figure of merit Z for Bi2Te3-based films like for bulk crystals (Z ~ 3 × 10 -3 K -1 ) [20][21][22] had been not achievable for a long time.…”