Получение Тонких Пленок Теллурида Висмута На Полиимидных Подложках Методом Импульсного Лазерного Осаждения

Abstract

В настоящей работе сообщается об особенностях получения тонких термоэлектрических пленок p-Bi0.5Sb1.5Te3 и n-Bi2Te2.7Se0.3 с характерной толщиной ~300 нм на полиимидном материале методом импульсного лазерного осаждения. Рассмотрено влияние температуры роста, давления и расстояния между мишенью и подложкой на свойства пленок. Достигнуты высокие значения коэффициента Зеебека 220 и -200 мкВ/К, но факторы электрической мощности для пленок p- и n-типа составили 9.7 и 5.0 мкВт/см·K2 соответственно из-за достаточно высоких сопротивлений пленок. Ключевые слова: тонкие пленки, импульсное лазерное осаждение, термоэлектрический эффект, теллурид висмута, полиимид.