Theory of the photon‐drag effect in semiconductors with elliptical isoenergetic surfaces and its application to tellurium crystals

Abstract

The components uiklrn of the photon-drag tensor are calculated within the framework of the Boltzmann equation for a model band structure with elliptical isoenergetic surfaces. Allowed direct optical t,ransitions between two para.bolic sub-valence-bands are considered. The theoretical results are applied to the photon-drag effect in tellurium. Scattering of carriers on acoustic and polar-optical phonons in the relaxat,ion time approximation is taken into account. Comparison with experimental results is made.Die Komponenten uiklrn des Photon-Drag-Tensors werden auf der Grundlage der Boltzmann-Gleichung fur eine Modellbandstruktur mit elliptischen Isoenergiefliichen im Fall erlanbter direkter optischer Vbergiinge zwischen zwei parabolischen Subvalenzbandern berechnet. Die theoretischen Resultate werden auf den Photon-Drag-Effekt in Tellur angewendet. Dabei wird Streuung der Ladungstriiger an akustischen und polaren optischen Phononen in Relaxationszeitapproximation beriicksichtigt. Ein Vergleich mit experimentellen Egebnissen wird durchgefiihrt.