The use of linearly graded composition AlGaAs injectors for intervalley transfer in GaAs: theory and experiment

Couch, N. R.; Beton, Peter H.; Kelly, Michael J.; Kerr, T. M.; Knight, D. J. E.; Ondria, J.

doi:10.1016/0038-1101(88)90353-x

Cited by 29 publications

(9 citation statements)

References 8 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…1 (for more detail see Refs. [9] and [10]). Each device consists of a graded Al x Ga 1-x As barrier region, grown to have nominal thickness D ≈ 50 nm, with composition x varying from 0 to 0.3; this layer is bounded by two GaAs layers, as shown in Fig.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 95%

Field and thermionic‐field transport in GaAs/AlGaAs/GaAs heterojunction barriers

Morgan

Porch

Krishna

2007

Physica Status Solidi (b)

View full text Add to dashboard Cite

This paper considers the transport of conduction band electrons as a result of tunneling through a triangular potential barrier fabricated within a GaAs/Al x Ga 1-x As/GaAs heterojunction. The triangular barrier was formed by the composition grading of the Al x Ga 1-x As region from x = 0 to x = 0.3, which forms part of a cathode emitter in a commercial Gunn diode. The experimental data for the current -voltage characteristics obtained for a range of temperatures from 77 to 273 K were used to test a simplified thermionic-field model. Good agreement has been obtained between theory and experiment, thus confirming the usefulness of this simple model for device evaluation. The comparison of the data over the experimental temperature range shows that the thermionic-field emission observed at 273 K gives way to field emission at 77 K. This is a result of the removal of the more energetic electrons in the conduction band at lower temperatures.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 95%

Field and thermionic‐field transport in GaAs/AlGaAs/GaAs heterojunction barriers

Morgan

Porch

Krishna

2007

Physica Status Solidi (b)

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The means proved to be successful with TED based on GaAs or InP turned out to be inefficient for semiconductor nitrides [8]. One of the weakly-studied directions in the area of TED creation is the use of gradedgap semiconductor compounds that can overcome the need of heating to some extent for the electron gas at the cathode [12][13][14][15]. So, there is a need to study the microwave generation of TED based on graded-gap semiconductor nitrides, in particular, AlInN, by numerical simulations aimed at determining prospects and possibilities of practical realization of these devices.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Graded-gap AlInN Gunn diodes

Storozhenko¹

2012

Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron.

View full text Add to dashboard Cite

Abstract. The paper deals with the numerical simulation of Gunn diodes operation based on the graded-gap AlInN. We have obtained the output characteristics of diodes with different cathode contacts in a wide range of frequencies. Harmonic and biharmonic modes of operation have been considered. Cutoff frequency and minimum length of the active region have been estimated. Performances of graded-gap AlInN diodes are compared with the performances of InN and AlN diodes.

show abstract

“…Для устранения негативного влияния некоторых из названных причин в настоящее время, в основном, используют планарные технологии [7,8] и варизонный катодный контакт. В работах [9][10][11][12][13][14][15][16] показано, что ДГ на основе варизонных полупроводников имеют более высокие значения эффективности генерации (КПД) и выходной мощности. Основной причиной такого повышения является локальное понижение энергетического зазора между неэквивалентными долинами в варизонном полупроводнике в области катодного контакта [12].…”

unclassified

“…Такую возможность дают, например, AlGaAs, AlGaInAs и InGaPAs. Однако в ДГ на основе Al x Ga 1-x As-GaAs при оптимальном содержании AlAs в катоде 15…25 % [9,10,14], возможно, не достигнуто оптимальное верхнее значение энергетического зазора между долинами, так как оно ограничено сверху значением для GaAs. С другой стороны, по целому ряду электрофизических свойств InGaAs более предпочтителен, чем GaAs [8].…”

unclassified

AlGaInAs graded-dap Gunn diode

Storozhenko¹,

Kaydash²

2016

RADIOFIZ. ELEKTRON.

View full text Add to dashboard Cite

Диоды Ганнаактивные элементы для генерации электромагнитных волн в миллиметровом диапазоне. Повышение их выходной мощности и предельной частоты генерации является актуальной задачей. Один из способов увеличения указанных характеристик диодов Ганнаиспользование варизонных полупроводников. В статье представлены результаты числовых экспериментов по генерации электромагнитных колебаний с помощью диодов Ганна на основе варизонного соединения AlGaAs-GaAs-InGaAs. Исследования проведены с помощью температурной модели междолинного переноса электронов в варизонных полупроводниках. Длина активной области диода составляла 2,5 мкм с концентрацией ионизированных примесей в ней 10 16 см -3 . Показано, что AlGaAs-GaAs-InGaAs-диоды могут быть использованы в качестве активных элементов для генерации электромагнитных колебаний миллиметрового диапазона. В GaAs-InxGa1-xAsи Al0,2Ga0,8As-GaAs-InxGa1-xAs-диодах выходная мощность почти линейно растет с процентной долей InAs в интервале от 0 до 50 %. Максимальное значение выходной мощности Р = 12,2 кВт⋅см -2 на частоте f = 45 ГГц и с эффективностью η = 10,5 % имеет GaAs-Ga0,5In0,5As-диод. Наибольшую эффективность генерации η = 11,3 % при Р = 10,6 кВт⋅см -2 и f = 41 ГГц -Al0,2Ga0,8As-GaAs-In0,5Ga0,5As-диод. Al0,2Ga0,8As-GaAs-диод по выходной мощности и эффективности генерации в 2-3 раза уступает названным выше. Результаты исследования расширяют знания о физических процессах переноса носителей заряда в сложных полупроводниковых структурах и могут быть использованы для технологических разработок новых быстродействующих приборов на основе полупроводников А3В5. Ил. 4. Библиогр.: 16 назв.Ключевые слова: диод Ганна, междолинный перенос электронов, варизонный полупроводник, выходная мощность, домен, эффективность генерации, температурная модель, терагерцевая электроника.

show abstract

The use of linearly graded composition AlGaAs injectors for intervalley transfer in GaAs: theory and experiment

Cited by 29 publications

References 8 publications

Field and thermionic‐field transport in GaAs/AlGaAs/GaAs heterojunction barriers

Field and thermionic‐field transport in GaAs/AlGaAs/GaAs heterojunction barriers

Graded-gap AlInN Gunn diodes

AlGaInAs graded-dap Gunn diode

Contact Info

Product

Resources

About