2013
DOI: 10.1016/j.jallcom.2013.04.170
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Synthesis and characterization of hafnium carbide microcrystal chains with a carbon-rich shell via CVD

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
2

Citation Types

0
2
0
3

Year Published

2014
2014
2023
2023

Publication Types

Select...
7

Relationship

1
6

Authors

Journals

citations
Cited by 16 publications
(5 citation statements)
references
References 19 publications
0
2
0
3
Order By: Relevance
“…Tang et al prepared single-crystalline HfCNWs and HfCNWs with oxycarbide surface by CVD, proving the great potential in the field of field emission. [213,215] Also, by catalyst-assisted LPCVD method, Tian et al successfully fabricated HfC whiskers, [216] microcrystal chains, [217] nanowires, [218] nanotubes, [219] and nanorods [220] through fine control of experimental parameters, and the applications as field emitters were investigated. [221] Recently, Mu et al first reported a novel CNTs templated thermal evaporation method for fabricating singlecrystalline HfC nanowires on carbon fiber cloth.…”
Section: Hfc Nanowires Reinforced C/c Compositesmentioning
confidence: 99%
See 1 more Smart Citation
“…Tang et al prepared single-crystalline HfCNWs and HfCNWs with oxycarbide surface by CVD, proving the great potential in the field of field emission. [213,215] Also, by catalyst-assisted LPCVD method, Tian et al successfully fabricated HfC whiskers, [216] microcrystal chains, [217] nanowires, [218] nanotubes, [219] and nanorods [220] through fine control of experimental parameters, and the applications as field emitters were investigated. [221] Recently, Mu et al first reported a novel CNTs templated thermal evaporation method for fabricating singlecrystalline HfC nanowires on carbon fiber cloth.…”
Section: Hfc Nanowires Reinforced C/c Compositesmentioning
confidence: 99%
“…[ 213,215 ] Also, by catalyst‐assisted LPCVD method, Tian et al. successfully fabricated HfC whiskers, [ 216 ] microcrystal chains, [ 217 ] nanowires, [ 218 ] nanotubes, [ 219 ] and nanorods [ 220 ] through fine control of experimental parameters, and the applications as field emitters were investigated. [ 221 ] Recently, Mu et al.…”
Section: Ultrahigh Temperature Ceramic Nanowires Reinforced C/c Compo...mentioning
confidence: 99%
“…Одним из соединений, входящих в данное семейство и привлекающих значительное внимание за счет своих физикохимических свойств, является карбид гафния (HfC). Сверхвысокая температура плавления (> 3800 • C) [4][5][6][7][8], высокие модуль упругости (350−510 GPa) [9,10] и твердость (26.1 GPa) [11,12], отличная стойкость к коррозии [13,14] и тепловому удару [9], хорошая химическая стабильность [15][16][17][18] и низкое удельное электрическое сопротивление [12,14] делают данный материал перспективным для применения в различных областях промышленности. Карбид гафния может использоваться для производства режущего инструмента [19][20][21], источников термополевой эмиссии [2,19,21], гиперзвуковых летательных аппаратов [5,12] и других изделий, работающих в экстремальных условиях [22].…”
Section: Introductionunclassified
“…Известны несколько способов получения карбида гафния: процесс искрового плазменного спекания (SPS) [3,14,20], высокоэнергетическое механическое измельчение порошковых смесей, содержащих металл и углерод, с последующим отжигом в инертной атмосфере [23], карботермическое восстановление оксидов металлов [19,21,22], прямая карбидизация металла [24] и другие методы. В тех случаях, когда требуется нанесение покрытий из HfC, используются процессы осаждения из газовой фазы (CVD) [10,16,25]. Несмотря на многочисленность различных методов синтеза, каждый из них имеет те или иные недостатки, и, в силу этого, целесообразно развивать простые и энергоэффективные методы получения карбида гафния.…”
Section: Introductionunclassified
“…В работах [7,8] получены покрытия карбида гафния различной толщины на УУКМ при давлении 5 кПа и температуре реактора 1600 и 1300 °C в системе HfCl 4 -СH 4 -H 2 -Ar. В работах [9,10] показано, что на скорость роста карбида гафния значительно влияет увеличение концентрации углерода.…”
unclassified