Surface-potential decay due to surface conduction

Электронно-Лучевая Зарядка Диэлектриков, Предварительно Облученных Ионами И Электронами Средних Энергий

“…При предварительной бомбардиров-ке участка поверхности SiO 2 (диаметр пятна облу-чения равен 3 mm) электронами с энергией 3 keV и дозой 10 18 cm −2 происходит модификация поверхности, сопровождаемая образованием радиационно-стимулиро-ванных дефектов (E ′ -центров). При этом поверхност-ное удельное сопротивление на облученном участке падает [34][35][36]. При проведении измерений кинетики зарядки SiO 2 в СЭМ проводится электронное зонди-рование площадки размером 100 × 100 µm в центре предварительно облученного пятна диаметром 3 mm.…”

“…При проведении измерений кинетики зарядки SiO 2 в СЭМ проводится электронное зонди-рование площадки размером 100 × 100 µm в центре предварительно облученного пятна диаметром 3 mm. После набора определенной дозы облучения и соот-ветственно заряда аккумулированных электронов со-зданное поле зарядов достигает такого критического значения F cr , которое достаточно для возникновения прыжковой проводимости электронов по поверхности (по механизму Пула-Френкеля [3,34,36]). В результа-те электроны быстро " расплываются" из заряжаемого участка размером 100 × 100 µm до границ большого ранее облученного пятна.…”

Impact of Water Content on the Electrical Behavior of Epoxy Insulators

“…A pair of electrodes has been designed to avoid tip effects and provide a quasi-homogeneous electric field in the central part of the sample. In order to reduce the degradation effects induced by charge injection at a metalinsulator interface [11] and the formation of whiskers due to fusion of the metallic electrodes, the contact between electrodes and the sample is made through a conducting carbon loaded elastomer. The average electric field along the sample is 0.45 kV/mm.…”

Lumped-circuit Modeling of Surface Charge Decay in a Needle-plane geometry

“…The deposited charges on the insulating surface will remain for a shorter or longer time depending on the decay mechanism due to different physical origins, such as bulk conduction, surface conduction, diffusion processes and neutralization from charges in the surrounding gas. Charge decay on the insulating surface can be investigated by the measurements or simulation of surface potential [3], charge density [4] and repetition rate of discharge activities [5]. The lumped-circuit model of a dielectric is an engineering method to consider the insulating material as distributed capacitance and resistance [6][7][8][9].…”

“…One particular feature of this model is that the time dependent behavior of the current flowing on the surface will follow 1 2 ( ) I t t [7]. The surface potential decay caused by the ohmic conduction of both the surface and the volume of the sample was investigated in [3]. Therefore, lumped-circuit model could also be a useful method to study the surface charge decay processes including surface and bulk conduction.…”