Электронно-Лучевая Зарядка Диэлектриков, Предварительно Облученных Ионами И Электронами Средних Энергий

Abstract

Изучены эффекты зарядки диэлектрических мишеней при облучении электронами средних энергий в сканирующем электронном микроскопе. Установлены существенные различия кинетики зарядки для исходных образцов и образцов, предварительно облученных электронами и ионами. Эти различия объясняются радиационно-стимулированным дефектообразованием в образцах Al2O3 (сапфир) и SiO2, имеющим, однако, различную природу. Показана роль модификации структуры поверхности и изменения электрофизических характеристик поверхности, в частности эффекта растекания зарядов. Обнаружены критические значения дозы облучения как ионами Ar+, так и электронами, при которых начинается активное дефектообразование в диэлектрических мишенях, а также критические значения внутренних полей зарядов, вносящих существенный вклад во временные характеристики зарядки Al2O3 и SiO2. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 15-02-07819а). DOI: 10.21883/FTT.2017.08.44749.460

Вариация Состояния Поверхности В Ходе Сканирования В Низковольтном РЭМ И Ее Влияние На Размеры Рельефной Структуры

“…Модель формирования зарядовых состояний в объеме окисной пленки и под ней для рельефной поверхности заметно сложнее по сравнению с плоской поверхностью образца SiO 2 , соответствующая модель для которой представлена в [3]. Общим для этих моделей является Физика твердого тела, 2020, том 62, вып.…”

“…Наведение заряда. Электрический заряд, присутствующий в диэлектрических пленках на сканируемой поверхности, способен изменяться под воздействием падающего электронного пучка [3]. Это особенно значимо на участках рельефной поверхности вблизи углов выступов, где слой пленки обычно толще а плотность зарядов выше, чем на плоской поверхности.…”

“…В результате там возможно заметное изменение локализованных зарядовых состояний. Из-за их вариации должна изменяться эмиссия медленных вторичных электронов (МВЭ) из соответствующих участков поверхности [3].…”

Зарядка диэлектриков при бомбардировке ионами Ar-=SUP=-+-=/SUP=- средних энергий

“…Более изучены механизмы зарядки диэлектриков под воздействием электронных пучков средних энергий [7], причем как исходных, так и предварительно облученных ионами [8][9][10]. Что касается конкретной ионной зарядки поверхности диэлектрика, то большая часть немногочисленных публикаций посвящена зарядке тонких пленочных мишеней [11][12][13][14][15].…”

Исследование Процессов Зарядки Ионно-Имплантированных Диэлектриков Под Воздействием Электронного Облучения

“…Для исследования влияния радиационного воздействия на процесс электронной зарядки диэлектрики были предварительно подвергнуты облучению ионами инертного газа -Ar + , ионами металла Ga + и протонами Н + . Результаты зарядки этих образцов, предварительно облученных электронами, были отражены в наших предыдущих работах [3,4]. случаев необлученной поверхности и поверхности, предварительно облученной электронами или ионами Ar + .…”