Study of nickel silicide formation on Si(110) substrate

Guo, Xiao; Yu, Hao; Jiang, Yu-Long; Ru, Guo-Ping; Zhang, David Wei; Li, Bing‐Zong

doi:10.1016/j.apsusc.2011.07.052

Cited by 13 publications

(17 citation statements)

References 29 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…[28][29][30] Instead of the CoSi-like Raman behavior for x ¼ 0.25 and 0.5, NiSi-like spectra appear when the Ni fraction is increased to 75% as is shown in Fig. 9.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 72%

Extensive Raman spectroscopic investigation of ultrathin Co1−xNixSi2 films grown on Si(100)

Piao¹,

Zhu²,

Gao³

et al. 2012

Journal of Vacuum Science &Amp; Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films

View full text Add to dashboard Cite

Ultrathin silicide films were formed by starting from 1–8 nm thick Co1−xNix (x = 0, 0.25, 0.5, 0.75, and 1) at 350 °C–900 °C. For each composition x, there exists a critical thickness above which the transition temperature from monosilicides CoSi and NiSi to a disilicide-like phase increases with increasing film thickness. Below this thickness, the disilicide phase seems to form without exhibiting the monosilicides within the detection resolution limits of transmission electron microscopy and Raman spectroscopy. Raman spectroscopic analysis seems to indicate that Ni could be dissolved in the CoSi lattice to a certain fraction despite the fact that CoSi and NiSi are distinct with different crystallographic structures. Moreover, the disorder-induced Raman scattering in NiSi2 is found to be enhanced by Co incorporation. The observed annealing behaviors are attributed to variations in free energy change for phase transition caused by differences in metal thickness.

show abstract

“…[28][29][30] Instead of the CoSi-like Raman behavior for x ¼ 0.25 and 0.5, NiSi-like spectra appear when the Ni fraction is increased to 75% as is shown in Fig. 9.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 72%

Extensive Raman spectroscopic investigation of ultrathin Co1−xNixSi2 films grown on Si(100)

Piao¹,

Zhu²,

Gao³

et al. 2012

Journal of Vacuum Science &Amp; Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…ст.) при температуре 540 С в течение 20 минут в кварцевой трубчатой печи сопротивления, что обеспечивало образование силицидных омических контактов к кремнию р-типа [8][9][10][11].…”

Section: рис 6 зависимости ρ пэкс /ρ п от L т /A при значениях параunclassified

Contact resistivity measurement of silicide ohmic contacts to silicon p-type by Transmission Line Method

Burlakov¹

2018

OSB

View full text Add to dashboard Cite

Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского, г. Омск измерение УДельного Сопротивления СилициДных омичеСКих КонтАКтов К Кремнию р-типА метоДом линии переДАчи Рассмотрен способ определения удельного контактного сопротивления методом линии передачи. этот способ использован на изготовленных и измеренных силицидных омических контактах к кремнию р-типа (с номинальным удельным сопротивлением ρ=10 ом‧см) на основе систем PtAg, PdAg и NiAg. Показано, что система PtAg имеет наиболее низкие значения ρ к = =(5,5…5,6)‧10-2 омсм 2. Ключевые слова: измерение удельного контактного сопротивления, TLMметод, кремний р-типа, силицидные омические контакты.

show abstract

“…Задачей исследований в настоящей работе является разработка структуры и способа изготовления фотоэлемента, который не обладает таким конструкционным недостатком. Решение этой задачи заключается в применении тонкопленочных силицидов металлов, которые образуют низкоомные контакты, имеют низкое поверхностное сопротивление и малое проникновение в кремний, обладают высокой стабильностью электрических характеристик и очень хорошей адгезией к кремнию [12][13][14][15]. В связи с этим представленные в настоящей работе экспериментальные результаты исследования двухспектрального фотоэлемента, имеющего два контакта с барьером Шоттки Ti-р-Si на одной стороне кремниевой пластины и омический силицидный контакт NiSi-р-Si, расположенный на противоположной стороне пластины, представляют определенный интерес.…”

unclassified

Photocell with two Schottky barrier contacts Ti-p-Si and ohmic silicide contact NiSi-p-Si

Burlakov¹

2020

OSB

View full text Add to dashboard Cite

приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы омсКиЙ наУЧныЙ ВестниК № 1 (169) 2020 62 УДК 621.382 р. Б. БУрлАКоВ Омский государственный университет им. Ф. м. Достоевского, г. Омск ФОтОэлемеНт, имеющий ДВА КонтАКтА Ti-p-Si c БАрьером ШоттКи и омичесКий силициДный КонтАКт NiSi-p-Si Рассмотрены способ изготовления и результаты исследования фотоэлектрических характеристик двухспектрального фотоэлемента, имеющего два контакта с барьером Шоттки Ti-p-Si на одной стороне кремниевой пластины и омический силицидный контакт NiSi-p-Si, расположенный на противоположной стороне пластины. Показано, что исследованный фотоэлемент может быть использован для преобразования энергии излучения в электрическую энергию при комнатной температуре в двух диапазонах: либо в ближней инфракрасной области спектра (0,9-1,4) мкм, либо в области (0,5-1,4) мкм. это свойство разработанного фотоэлемента позволит расширить его область применения. Фотоэлемент обладает простой структурой и технологией со временем его изготовления в интервале (2,5-3) часа. Ключевые слова: способ изготовления фотоэлемента, кремний р-типа, контакты с барьером Шоттки Ti-р-Si, омический контакт NiSi-p-Si.Введение. Известны фотодетекторы [1, 2], содержащие пластину кремния р-типа, на одной стороне которой расположены омический контакт Al-р-Si и силицидный контакт PtSi-р-Si с барьером Шоттки. При освещении фотодетекторов со стороны контакта PtSi-р-Si они действуют в широком спектральном диапазоне, включающем в себя часть ультрафиолетовой, видимую и инфракрасную области спектра. Однако для обеспечения работы этих фотодетекторов требуется их охлаждение до температур (10-80) К, что является недостатком этих фотодетекторов.Наиболее близким по технической сущности к исследованному в настоящей работе фотоэлементу является фотоэлемент [3], содержащий пластину кремния р-типа, на одной плоскости которой расположены омический контакт Al-р-Si и первый контакт Al-р-Si с барьером Шоттки, освещаемый через кремниевую пластину. Этот фотоэлемент снабжен дополнительно вторым контактом Ti-р-Si с барьером Шоттки, расположенным напротив омического контакта Al-р-Si на плоскости кремниевой пластины, которая противоположна плоскости с омическим контактом Al-р-Si, при этом контакты с барьером Шоттки имеют форму дисков, которые не касаются боковых граней кремниевой пластины. Фотоэлемент действует при комнатной температуре в диапазоне длин волн (0,9-1,4) мкм при использовании контакта Al-р-Si, освещаемого через Si пластину, а при использовании контакта Ti-р-Si, освещаемого со стороны полупрозрачного слоя Ti, он действует в диапазоне длин волн (0,5-1,4) мкм.Следует отметить, что электрические свойства контактов Al-р-Si и Ti-р-Si с барьером Шоттки были исследованы ранее в большом количестве работ, БуРлаКоВ Рудиарий Борисович, кандидат физикоматематических наук, доцент (Россия), доцент кафедры «Прикладная и медицинская физика». AuthorID (РИНЦ): 37654 Адрес для переписки: BurlakovRB@omsu.ru Для цитированияБурлаков Р. Б. Фотоэлемент, имеющий два контакта Ti-p-Si c барьером Шот...

show abstract

Study of nickel silicide formation on Si(110) substrate

Cited by 13 publications

References 29 publications

Extensive Raman spectroscopic investigation of ultrathin Co1−xNixSi2 films grown on Si(100)

Extensive Raman spectroscopic investigation of ultrathin Co1−xNixSi2 films grown on Si(100)

Contact resistivity measurement of silicide ohmic contacts to silicon p-type by Transmission Line Method

Photocell with two Schottky barrier contacts Ti-p-Si and ohmic silicide contact NiSi-p-Si

Contact Info

Product

Resources

About