Photocell with two Schottky barrier contacts Ti-p-Si and ohmic silicide contact NiSi-p-Si

Abstract

приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы омсКиЙ наУЧныЙ ВестниК № 1 (169) 2020 62 УДК 621.382 р. Б. БУрлАКоВ Омский государственный университет им. Ф. м. Достоевского, г. Омск ФОтОэлемеНт, имеющий ДВА КонтАКтА Ti-p-Si c БАрьером ШоттКи и омичесКий силициДный КонтАКт NiSi-p-Si Рассмотрены способ изготовления и результаты исследования фотоэлектрических характеристик двухспектрального фотоэлемента, имеющего два контакта с барьером Шоттки Ti-p-Si на одной стороне кремниевой пластины и омический силицидный контакт NiSi-p-Si, расположенный на противоположной стороне пластины. Показано, что исследованный фотоэлемент может быть использован для преобразования энергии излучения в электрическую энергию при комнатной температуре в двух диапазонах: либо в ближней инфракрасной области спектра (0,9-1,4) мкм, либо в области (0,5-1,4) мкм. это свойство разработанного фотоэлемента позволит расширить его область применения. Фотоэлемент обладает простой структурой и технологией со временем его изготовления в интервале (2,5-3) часа. Ключевые слова: способ изготовления фотоэлемента, кремний р-типа, контакты с барьером Шоттки Ti-р-Si, омический контакт NiSi-p-Si.Введение. Известны фотодетекторы [1, 2], содержащие пластину кремния р-типа, на одной стороне которой расположены омический контакт Al-р-Si и силицидный контакт PtSi-р-Si с барьером Шоттки. При освещении фотодетекторов со стороны контакта PtSi-р-Si они действуют в широком спектральном диапазоне, включающем в себя часть ультрафиолетовой, видимую и инфракрасную области спектра. Однако для обеспечения работы этих фотодетекторов требуется их охлаждение до температур (10-80) К, что является недостатком этих фотодетекторов.Наиболее близким по технической сущности к исследованному в настоящей работе фотоэлементу является фотоэлемент [3], содержащий пластину кремния р-типа, на одной плоскости которой расположены омический контакт Al-р-Si и первый контакт Al-р-Si с барьером Шоттки, освещаемый через кремниевую пластину. Этот фотоэлемент снабжен дополнительно вторым контактом Ti-р-Si с барьером Шоттки, расположенным напротив омического контакта Al-р-Si на плоскости кремниевой пластины, которая противоположна плоскости с омическим контактом Al-р-Si, при этом контакты с барьером Шоттки имеют форму дисков, которые не касаются боковых граней кремниевой пластины. Фотоэлемент действует при комнатной температуре в диапазоне длин волн (0,9-1,4) мкм при использовании контакта Al-р-Si, освещаемого через Si пластину, а при использовании контакта Ti-р-Si, освещаемого со стороны полупрозрачного слоя Ti, он действует в диапазоне длин волн (0,5-1,4) мкм.Следует отметить, что электрические свойства контактов Al-р-Si и Ti-р-Si с барьером Шоттки были исследованы ранее в большом количестве работ, БуРлаКоВ Рудиарий Борисович, кандидат физикоматематических наук, доцент (Россия), доцент кафедры «Прикладная и медицинская физика». AuthorID (РИНЦ): 37654 Адрес для переписки: BurlakovRB@omsu.ru Для цитированияБурлаков Р. Б. Фотоэлемент, имеющий два контакта Ti-p-Si c барьером Шот...