Contact resistivity measurement of silicide ohmic contacts to silicon p-type by Transmission Line Method

Abstract

Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского, г. Омск измерение УДельного Сопротивления СилициДных омичеСКих КонтАКтов К Кремнию р-типА метоДом линии переДАчи Рассмотрен способ определения удельного контактного сопротивления методом линии передачи. этот способ использован на изготовленных и измеренных силицидных омических контактах к кремнию р-типа (с номинальным удельным сопротивлением ρ=10 ом‧см) на основе систем PtAg, PdAg и NiAg. Показано, что система PtAg имеет наиболее низкие значения ρ к = =(5,5…5,6)‧10-2 омсм 2. Ключевые слова: измерение удельного контактного сопротивления, TLMметод, кремний р-типа, силицидные омические контакты.