Structure and characteristics of ZnO:Al/n-Si heterojunctions prepared by magnetron sputtering

Song, Dengyuan; Neuhaus, D.H.; Xia, J.; Aberle, Armin G.

doi:10.1016/s0040-6090(02)00971-9

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“…5(b)), is consistent with standard one, largely reported in many works [32,33] and it reflects the presence of surface channel current component [34]. This transport current is generally well expected in porous silicon-based structures, since the rapid expected-oxidation during structure growth [35][36][37][38][39].…”

Section: Current-voltage Characteristics Of Izo/ps/si and Izo/zno/ps/supporting

confidence: 86%

Modifications in electrical properties of ZnO:In/PS/Si (100) heterojunction by ZnO intermediate layer

et al. 2015

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International audienceNous utilisons une méthode sol-gel pour synthétiser des nano-poudres d’aérogel d’oxyde de zinc dopées à l’indium (IZO). Les produits obtenus sont utilisés dans la cible comme source pour le dépôt par pulvérisation rf cathodique de minces films de IZO sur des substrats de silicium poreux (PS) de type p. Nous déposons deux hétéro-structures avec, et sans couche intermédiaire ZnO, (IZO/ZnO/PS/Si) et (IZO)/PS/Si), de façon à étudier son rôle sur les propriétés électriques. Les films minces de IZO, d’épaisseur d’environ 400 nm et concentration d’indium de 4 %, sont poly-cristallins avec une structure wurtzite hexagonale et une orientation préférentielle dans la direction cristalline (002). Nous analysons systématiquement l’effet de la couche intermédiaire ZnO sur les propriétés des deux hétérojonctions, n-IZO/PS/p-Si et n-IZO/ZnO/PS/p-Si, en étudiant les caractéristiques courant–voltage (I–V), capacitance–voltage (C–V) et capacitance–fréquence (C–F). Nos mesures montrent que les propriétés de la jonction dépendent fortement de la température et que la couche intermédiaire ZnO a un impact significatif sur les propriétés de transport de l’hétéro-structure n-IZO/ZnO/PS/p-Si. La jonction fabriquée sans ZnO possède des propriétés rectificatrices idéales (IF/IR = 32 à 300 K et 6 × 103 à 80 K pour ±3 V). Par contre les propriétés rectificatrices se dégradent pour n-IZO/ZnO/PS/p-Si (IF/IR ∼ 8 à 300 K et 7 à 80 K pour ±3 V). Le comportement ambigu de IF/IR aux basses températures (80–140 K) pour n-IZO/ZnO/PS/p-Si s’explique par l’existence de trajectoires tunnels actives dans ce domaine de température. Les propriétés de transport des deux diodes s’expliquent à l’aide du modèle d’Anderson et du modèle de courant limité par charges d’espace. Les mesures C–V montrent un comportement électrique complexe des jonctions IZO/ZnO/PS/Si, attribué à la diffusion d’indium dans la couche intermédiaire de ZnO non dopée pendant le processus de croissance. [Traduit par la Rédaction

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Section: Current-voltage Characteristics Of Izo/ps/si and Izo/zno/ps/supporting

confidence: 86%

Modifications in electrical properties of ZnO:In/PS/Si (100) heterojunction by ZnO intermediate layer

et al. 2015

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“…The dominant transport mechanism can be determined by studying the temperature dependence of this parameter [16][17][18][19][20][21]. If parameter B is temperature dependent, the dominant transport mechanism is either diffusion in the case of n 1 = or recombination when n 1 2.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Transport characteristics of n-ZnO/p-Si heterojunction as determined from temperature dependent current–voltage measurements

Djiokap

Urgessa

Mbulanga

et al. 2016

Physica B: Condensed Matter

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“…Therefore, it is almost certainly that the barrier is not linear, we have neglected the changes in the density of states and their population with temperature [21]. Even so, we can solved this in-coincidence by considering the multi-tunneling capture-emission mechanism (MTCE) instead of the multi-tunneling model studied by Matsuura et al [23], and Song et al [6], that combine the thermal transport mechanism and tunneling transport mechanism. The values of activation energy (E a ) of the saturation current, deduced from the linear fit of data in Fig.…”

Section: Current-voltage Characteristicsmentioning

confidence: 99%

“…Thin films and hetero-junctions of semiconductors have been elaborated by different methods like thermal evaporation [5], magnetron sputtering [6], vapor liquid solid (VLS) method [7], pulsed laser deposition [8], sol gel process [9] and ultrasonic spray pyrolysis [10]. The last method has some advantages for producing thin films, such as the simplicity and low cost.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Effects of CuO film thickness on electrical properties of CuO/ZnO and CuO/ZnS hetero-junctions

Chabane

Zebbar

Zeggar

et al. 2015

Materials Science in Semiconductor Processing

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Structure and characteristics of ZnO:Al/n-Si heterojunctions prepared by magnetron sputtering

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Modifications in electrical properties of ZnO:In/PS/Si (100) heterojunction by ZnO intermediate layer

Modifications in electrical properties of ZnO:In/PS/Si (100) heterojunction by ZnO intermediate layer

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Effects of CuO film thickness on electrical properties of CuO/ZnO and CuO/ZnS hetero-junctions

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