Structural, Optical, and Electrical Properties of Semiconductor Compounds Studied by Means of Inelastic Light Scattering from Phonon, Electron, and Coupled Electron–Phonon Excitations: From Bulk to Nanoscale Structures

Abstract

We show results of our systematic investigation by means of quasi-elastic and inelastic laser light scattering (QEILS) of electron- and hole–phonon interactions as well as charge- and spin-density scattering mechanisms from hole gas fluctuations including their overlapping with phonon features by using near infrared excitation of doped bulk p-GaAs and self-assembled InAs/GaAs quantum dot (QD) structures. Additionally, results of our study of CdS and CdSe/ZnS QDs, multi-functionalized by peptides possessing strict affinity to integrins of MDA-MB-435 cancer cells are also presented.

Оптическая характеризация структурных и электрических свойств нанослоев n-GaP, выращенных на проводящих подложках (001) n-GaP

“…Как уже отмечалось выше, одной из основных проблем измерения структурных и электрических параметров гомоэпитаксиальных слоeв, выращенных на сильнолегированных подложках являются очевидные сложности определения концентрации и подвижности свободных носителей заряда на основе традиционного метода исследования электрических свойств полупроводниковых материалов путем выполнения электрических измерений проводимости и эффекта Холла [12]. В особенности, такие сложности возникают для гомоэпитаксиальным слоев наномасштабной толщины.…”

“…Оптическая спектроскопия рамановского рассеяния света является одним из наиболее привлекательных ме-тодов исследования кристаллической структуры и динамики элементарных решеточных и электронных возбуждений. Исчерпывающую информацию о теоретических и экспериментальных исследованиях в этом направлении можно найти в работах [10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22][23][24]. В спектрах рамановского рассеяния легированных полупроводников вследствие кулоновского взаимодействия могут проявляться два типа элементарных возбуждений -одночастичные и коллективные.…”

Резонансное Рассеяние Света Оптическими Фононами В Кристалле Алмаза С Азотозамещенной Вакансией

“…В введенной теории многозонного резонансного усиления интенсивности рассеяния света колебаниями решетки в качестве промежуточных электронных состояний были строго и подробно описаны не рассматривавшиеся ранее атомоподобные экситонные состояния, принадлежащие как дискретным экситонным зонам, так и непрерывному спектру, а также высоколежащие валентные зоны [5,6]. В последующие годы теория многозонного резонансного рассеяния света и развитые в [5][6][7] подходы были использованы и подтверждены в работах [8,9]. С их учетом были пересчитаны результаты ранее выполненных исследований для ряда полупроводников группы A III B V [8,9], а также подтверждены для многих полупроводниковых материалов -от объемных (например, [7][8][9][10][11][12]) до низкоразмерных наноструктур (например, [13][14][15][16][17]).…”

“…В последующие годы теория многозонного резонансного рассеяния света и развитые в [5][6][7] подходы были использованы и подтверждены в работах [8,9]. С их учетом были пересчитаны результаты ранее выполненных исследований для ряда полупроводников группы A III B V [8,9], а также подтверждены для многих полупроводниковых материалов -от объемных (например, [7][8][9][10][11][12]) до низкоразмерных наноструктур (например, [13][14][15][16][17]). В кристаллах алмаза, легированных азотом, формирование большого числа электронных уровней может обусловливать наиболее яркое проявление механизма многозонного резонансного неупругого рассеяния света.…”