Сообщается о результатах исследования структурных и электрических свойств гомоэпитаксиального наномасштабного слоя (001) n-GaP, толщиной 70 nm, выращенного методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на проводящей сильнолегированной подложке кристалла n-GaP, ориентированного по оси (001). В спектре рамановского рассеяния света такого нанослоя n-GaP в образце n-GaP/n-GaP (001) в сравнении со спектром высокоомного кристаллического образца (001) si-GaP удалось обнаружить две достаточно узкие линии, приписанные колебаниям поперечных TO()- фононов и высокочастотным продольным связанным плазмон-фононным LO()+ колебаниям. При этом установлено, что спектральные параметры LO()+ колебаний как в нанослое n-GaP, так и в подложке (001) n-GaP существенно отличаются между собой, а также и от спектральных параметров линии продольных оптических LO()- фононов. Анализ выявленных строгих количественных особенностей спектральных параметров позволил получить ценную информацию о совершенстве кристаллической структуры наномасштабного гомоэпитаксиального слоя (001) n-GaP. Помимо этого, показано что, численные расчеты на основе микроскопической модели рассеяния света LO()+ колебаниями, обусловленного механизмами деформационного потенциала и электрооптическим рассеянием, позволили бесконтактным и неразрушающим образом определить онцентрацию n и подвижность μ свободных носителей заряда гомоэпитаксиального слоя наномасштабной толщины и проводящей сильнолегированной подложки. Полученные значения оказались nhepi=(3.25±0.1)·1017 cm-3 и подвижности μhepi=(40.0±0.1) cm2·V-1·s-1 для гомоэпитаксиального слоя (001) n-GaP в сравнении с nsubs=(2.52±0.1)·1017 cm-3 и μsubs=(51.0±0.1) cm2·V-1·s-1 для подложки (001) n-GaP образца n-GaP/n-GaP (001). Ключевые слова: гомоэпитаксиальный наномасштабный слой (001) n-GaP, сильнолегированная подложка, концентрация и подвижность носителей заряда.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.