Stark effect in semiconductor quantum dots

Abstract

A theory of the Stark effect in semiconductor quantum dots has been developed for the case of dominating polarization interaction of an electron and a hole with the nanocrystal surface. A shift of electron and hole quantum well levels in a nanocrystal in the interband absorption range in a uniform external electric field is determined by the quantum-confinement quadratic Stark effect. An electro-optical method is proposed, making it possible to estimate the characteristic quantum dot radius at which three-dimensional excitons can exist.

Bulk Local One-Particle States of Quasi-Particles in Quasi-Zero-Dimensional

“…Следует подчеркнуть, что формулы (47) и (51) являются частны-ми выражениями более общих формул (18), (19), которые описыва-ют спектр  tl (S) (18), (30) низколежащих объемных локальных со-стояний носителя заряда (t,  l) осцилляторного типа. При этом фор-мулы (47) и (51) определяют спектр  tl (S), имеющий осциллятор-ный характер.…”

“…Перестройка электронного спектра полупро-водника под влиянием граничащего с ним вещества (другого полу-проводника, металла или диэлектрика) и связанные с ней оптиче-ские эффекты изучались в [4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20]. Возможность локализации экси-тонов большого радиуса на границе раздела полупроводник-диэлектрик и полупроводник-вакуум силами электростатического изображения была показана в [4,[21][22][23][24][25].…”

Interband Absorption of Light by Quasi-Zero-Dimensional Nanosystems

“…В настоящее время интенсивно исследуются оптические [1][2][3][4][5][6][7][8][9] и электрооптические [1][2][3][4][5][6][10][11][12][13][14][15] свойства квазинульмерных нано-структур, состоящих из полупроводниковых нанокристаллов (ПН) сферической формы, так называемых квантовых точек с радиусами a    1-10 нм, выращенных в полупроводниковых (диэлектрических) матрицах. Такие исследования вызваны тем, что подобные наноси-стемы являются новыми перспективными материалами для созда-ния новых элементов нелинейной нанооптоэлектроники (в частно-сти, элементов для управления оптическими сигналами в оптиче-ских компьютерах [16,17] и в качестве активной области инжекци-онных полупроводниковых нанолазеров [1][2][3][4][5][6][7][8][9][16][17][18][19]).…”

The Present State of Spectroscopy and the Perspectives of Its Development by Nanosystems in Ukraine

“…Ñåðã³é ². Ïîêóòí³é, Íàòàëÿ Ì. Êîðñ³êîâà òà êîåô³ö³ºíòîì ïîãëèíàííÿ ñâ³òëà òîùî [1][2][3][4][5][6][7][8][9][14][15][16][17][18][19][20].…”

“…Îñê³ëüêè îïòè÷í³ âëàñòè-âîñò³ ÊÒ âèçíà÷àþòüñÿ ïåðåâàaeíî äèñêðåòíè-ìè åíåðãåòè÷íèìè ñïåêòðàìè êâàç³÷àñòèíîê [1][2][3][4][5][6][7][8][9][14][15][16][17][18][19][20], òî îñíîâíèì çàâäàííÿì òåî𳿠íà äàíîìó åòàï³ º äîñë³äaeåííÿ âïëèâó ðîçì³ðíîãî êâàíòóâàííÿ, ð³çíîìàí³òíèõ âçàºìîä³é (êóëî-í³âñüêî¿, ïîëÿðèçàö³éíî¿, åëåêòðîí-³ åêñèòîí-ôîíîííî¿, îáì³ííî¿, ñï³í-îðá³òàëüíî¿ ³ ò.ï.) òà åëåêòðè÷íîãî ³ ìàãí³òíîãî ïîë³â íà ñïåêòðè åëåêòðîí³â, ä³ðîê òà åêñèòîí³â [1][2][3][4][5][6][7][8][9][14][15][16][17][18][19][20].…”