Дан обзор результатов теоретических и экспериментальных исследований по взаимодействию электромагнитного поля с одночастичными электрон-ными и позитронными квантоворазмерными состояниями, возникающими в квазинульмерных металлических и полупроводниковых наносистемах. Показано, что силы осцилляторов переходов, а также дипольные моменты переходов для одночастичных электронных и позитронных состояний в квазинульмерных наносистемах принимают гигантские значения, сущест-венно превосходящие типичные значения соответствующих величин для объемных материалов. В рамках дипольного приближения установлено, что гигантские значения сечений поглощения света в изучаемых квази-нульмерных наносистемах дают возможность использовать такие наноси-стемы в качестве новых сильно поглощающих материалов.Дано огляд результатів теоретичних і експериментальних досліджень з взаємодії електромагнетного поля з одночастинковими електронними й позитронними квантоворозмірними станами, які виникають у квазинуль-вимірних металевих і напівпровідникових наносистемах. Показано, що сили осциляторів переходів, а також дипольні моменти переходів для од-ночастинкових електронних і позитронних станів у квазинульвимірних наносистемах набувають гігантських значень, що суттєво перевищують типові значення відповідних величин для об'ємних матеріялів. У рамках дипольного наближення встановлено, що гігантські значення перерізів вбирання світла в таких квазинульвимірних наносистемах дають можли-вість використовувати наносистеми в якости нових сильно вбираючих ма-теріялів.We analyzed the results of theoretical and experimental research on the interaction of an electromagnetic field with electron and positron states arising in quasi-zero-dimensional metal and semiconductor nanosystems. As shown, the oscillator strengths and dipole moments for the transitions involving oneparticle electron and positron in quasi-zero-dimensional nanosystems attain Успехи физ. мет. / Usp. Fiz. Met. 2008, т. 9, сс. 289-304 Îòòèñêè äîñòóïíû íåïîñðåäñòâåííî îò èçäàòåëÿ Ôîòîêîïèðîâàíèå ðàçðåøåíî òîëüêî â ñîîòâåòñòâèè ñ ëèöåíçèåé 2008 ÈÌÔ (Èíñòèòóò ìåòàëëîôèçèêè èì. Ã. Â. Êóðäþìîâà ÍÀÍ Óêðàèíû) Íàïå÷àòàíî â Óêðàèíå.

No abstract

No abstract

Strontium plumbate SrPbO3−δ samples were obtained by means of high pressure synthesis and studied through the temperature (T) dependences of the resistivity ρ and differential thermoelectric power S. Thus prepared samples demonstrate a much steeper increase of ρ for low T than those synthesized by us and other groups without high pressure application. Moreover, the ρ minimum observed earlier and indicating a proximity to the metal state completely disappeared. The sign of S(T) is positive in the whole T range, contrary to what was observed earlier. Tunnel measurements were carried out using the in situ break-junction technique, revealing a correlation dielectric gap Σ≈1.5–2 eV. The data can be explained if one assumes the existence of both holes and electrons in this oxide. The high pressure application during synthesis leads to higher sample disorder, most probably inducing current carrier localization and a Coulomb gap emergence in the quasiparticle spectrum. Electrons do not survive this process, whereas the former minority holes reveal themselves in thermoelectric measurements. Meanwhile, the overall transport behaviour loses its semimetallic features, characteristic of more conventionally produced lead oxide ceramics. Our results show how fragile the electron spectrum of this oxide is, being near the metal–semiconductor phase transition boundary.

No abstract

Приведены результаты комплексных исследований изменения локально-го химического состава и структурно-фазовых превращений в зонах кон-тактного взаимодействия сталей при трении в разных средах. Показано, что деформация поверхностных слоёв металла при трении на воздухе приводит к насыщению приграничных областей структурных фрагментов преимущественно атомами углерода, которые находятся в октапорах ОЦК-железа. Атомы углерода образуют прочные ковалентные связи с окружающими их атомами металла и снижают подвижность атомов на границах. Это способствует деформационному упрочнению поверхност-ных слоёв трущегося на воздухе металла и препятствует его наслоению на поверхности трения. Установлено, что пластическая деформация поверх-ностных слоёв металла при трении в воде приводит к насыщению пригра-ничных областей структурных фрагментов также атомами кислорода, которые образуют метастабильные атомные кластеры Fe-O-C. Показано, что эти кластеры и атомы металла кристаллической решётки разделяют области с пониженной электронной плотностью, которые являются ре-зультатом ограниченного участия валентных электронов в формировании ковалентных связей между атомами металла и атомами кластеров. Пока-зано, что скопление атомных кластеров Fe-O-C на границах структурных фрагментов приводит к их смещению друг относительно друга при малых напряжениях сдвига и способствует переходу металла взаимодействую-щих микронеровностей в новое структурно-неустойчивое состояние, при котором реализуется его гидродинамическое течение без потери сплошно-сти. Это приводит к формированию на поверхностях трущихся в воде тел износостойких сверхмелкозернистых слоёв, благодаря которым контакт-ная пара переходит в установившийся режим работы с минимальными износом и коэффициентом трения.Подано результати комплексних досліджень зміни локального хемічного складу та структурно-фазових перетворень у зонах контактної взаємодії Успехи физ. мет. / Usp. Fiz. Met. 2011, т. 12, сс. 209-239 Оттиски доступны непосредственно от издателя Фотокопирование разрешено только в соответствии с лицензией © 2011 ИМФ (Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины) Напечатано в Украине.

Приведен обзор результатов теоретических и экспериментальных ис-следований объемных локальных состояний квазичастиц (электрона и дырки), возникающих в объеме полупроводниковых сферических кван-товых точек, в условиях сильного поляризационного взаимодействия носителей заряда с поверхностью квантовой точки. Показано, что в спектре объемных локальных состояний имеется область низколежа-щих состояний, обладающих спектром осцилляторного типа. Установ-лено, что объемные локальные состояния в квантовых точках являются достаточно стабильными (со временами жизни порядка 10 1 с).Наведено огляд результатів теоретичних та експериментальних дослі-джень об'ємних льокальних станів квазичастинок (електрона й дірки), які виникли в об'ємі напівпровідникових сферичних квантових точок, в умовах сильного поляризаційного взаємочину носіїв заряду з поверх-нею квантової точки. Показано, що у спектрі об'ємних льокальних станів є область низьколежачих станів, які характеризуються спектром осциляторного типу. Встановлено, що об'ємні льокальні стани у кван-тових точках є достатньо стабільними (із часом життя, що має порядок 10 1 с).The results of theoretical and experimental investigations of bulk local states of quasi-particles (an electron and a hole) appearing in the bulk of semiconductor spherical quantum dots under the condition of strong polarization interaction between the charge carriers and the quantum-dot surface are reviewed. As shown, there are low-lying oscillator-type states in the spectrum of bulk local states. As revealed, the bulk local states in quantum dots are stable (with a life cycle of  10 1 s).

Проведен обзор результатов теоретических и экспериментальных исследо-ваний по межзонному поглощению света полупроводниковыми сфериче-скими нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодей-ствия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолновую сторону. Установ-лено, что край поглощения нанокристаллов формируется двумя сравнимы-ми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона.Виконано огляд результатів теоретичних та експериментальних дослі-джень з міжзонного вбирання світла напівпровідниковими сферичними нанокристалами. Показано, що врахування поляризаційної взаємодії електрона і дірки з поверхнею нанокристала спричиняє зсув порогу вби-рання в нанокристалі в короткохвильовий бік. Встановлено, що край вби-рання нанокристалів формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з ріжних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рі-вень розмірного квантування електрона.The results of theoretical and experimental investigations of interband absorption of light in semiconductor spherical nanocrystals are analyzed. As shown, the absorption threshold in a nanocrystal is shifted to shorter wavelengths if the polarization-related interaction of electrons and holes with the nanocrystal surface is taken into account. As ascertained, the absorption edge for nanocrystals is formed by two transitions comparable in intensity. These transitions occur from different levels of size-related quantization for a hole to the lower level of size-related quantization for an electron.Ключевые слова: межзонное поглощение, квазинульмерные нанострук- Fiz. Met. 2007, т. 8, сс. 157-170 Îòòèñêè äîñòóïíû íåïîñðåäñòâåííî îò èçäàòåëÿ Ôîòîêîïèðîâàíèå ðàçðåøåíî òîëüêî â ñîîòâåòñòâèè ñ ëèöåíçèåé  2007 ÈÌÔ (Èíñòèòóò ìåòàëëîôèçèêè èì. Ã. Â. Êóðäþìîâà ÍÀÍ Óêðàèíû) Íàïå÷àòàíî â Óêðàèíå.